SiC功率器件加持，罗姆闪耀慕尼黑上海电子展

　　作为业内极具代表性的电子展之一，3月中旬在沪举办的慕尼黑上海电子展吸引了海内外众多半导体厂商的关注。日本的知名厂商罗姆（ROHM）半导体也携带了其最新的产品和威廉希尔官方网站 出席了这次盛会。电子发烧友网受邀请拜访了罗姆的展台，听现场工程师给我们带来罗姆的最新产品和威廉希尔官方网站 分享。

　　罗姆成立于1958年，最初是做电阻起家，其英文名ROHM就是由电阻的单词Resistance的首字母R和电阻的单位欧姆（OHM）组合而成的。一直以来功率器件都是其最核心，也是最基础的领域，在这次展会现场，功率器件也是罗姆展示的重要产品的一部分。

　　慕尼黑电子展现场的罗姆展台

　　SiC威廉希尔官方网站 夯实功率器件产品线

　　近年来，由于电动车和工控设备等的发展，对于高性能的功率器件日益增长，传统的Si基器件已逐渐不符合新产品的性能需求，于是半导体厂商就将目光投向了性能更佳的SiC材料。作为功率器件领域的强者，罗姆无疑是当中的先锋。

　　根据罗姆展台现场的工作人员介绍：“与Si半导体相比，SiC功率器件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低。尤其是这次带来的全SiC功率模块，性能更优越。”

　　除了具备高速开关、高速恢复以外，罗姆的这些全SiC功率模块还具备第开关损耗和消除寄生二极管通电导致的元件劣化问题。

　　从和现场的工作人员求证得知，这些内置的功率半导体元件全部由SiC构成的新型功率器件较之传统的Si基IGBT，开关损耗大幅减少，将其最新的产品BSM300D12P2E001和传统的IGBT对比可得出，这个损耗减少数值可以高达77%。

　　而在高速开关动作时，则可以实现低损耗，如在5kHZ时的开关损耗可以降低22%，而在30kHZ，这个数字可以去到60%。而这都是传统的IGBT所不能达到的。

　　这系列产品也具有丰富的产品阵容，能够满足不同客户的需求。

　　庞大的SiC功率器件产品阵容

　　除了全SiC功率模块以外，罗姆还有各种各样的SiC器件，例如SiC MOS管和SiC二极管，在展会现场，罗姆带来了第二代SiC肖特基势垒二极管，这一代产品不但具有业界最小级别的正向电压（VF=1.35V）、快速回复特性和极低的开关损耗，能够广泛应用在太阳能功率调节器、开关电源、EV/HEV逆变器和充电器上面。

　　由于SiC产品在性能上遥遥领先传统的Si产品，成本自然而然就成为了消费者和制造商关注的问题。在问到这个的时候，罗姆的工作人员透露：“SiC二极管价格则是Si二极管的2到3倍；SiC MOS管则是Si MOS管的3到5倍；SiC模组的价格更是比IGBT贵5倍开外。”

　　考虑到SiC产品可以高达100kHZ以上的高频特性和其他优点，加上开发难度和成本原因，这点溢价相信会被制造商所接受。