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通过优化变换器的FET开关来改善能量效率

2009年12月12日 11:59 www.obk20.com 作者:本站 用户评论(0
通过优化变换器的FET开关来改善能量效率

   在计算和消费电子产品中,效率已经有了显著的提高,重点是AC/DC转换上。不过,随着80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现,设计人员开始认识到,AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。


    AC/DC平均系统效率在65%左右,而DC/DC平均系统效率为80%,所以不难理解为什么大家侧重于AC/DC系统。不过,现在应该重新检查DC/DC系统,找出改善效率的新方法。


    计算、通信和消费应用系统中的DC/DC负责转换、管理并分配功率,为显卡、处理器芯片以及内存等功能提供电能,而所有这些功能都面临着提高性能的需求,因此就比任何时候都需要更高的效率。已经有研究利用MOSFET最新进展以及先进的热封装威廉希尔官方网站 来提高现有的开关电路和相关的功率晶体管器件的效率。
仔细选择电源部件,特别是车载的同步降压变换器,可以大幅度改善新平台的功率密度、效率以及热性能。例如,如果有50万台服务器都完全符合80 PLUS能源规定的要求,那么所节省的能源足以供应超过377 000户家庭的用电。


    电路和损耗


    降压或同步降压电路是所有低电压DC/DC功率管理系统的重负荷部件,而所有同步降压电路中的主要功率损耗来自MOSFET的开关和传导损耗。


    在任何台式电脑中都可以找到常见的降压整流器(VRM),如图1所示,这种整流器在满载时可以提供超过25A的电流和1.2V的输出。因此,1个MOSFET将位于主通路中或高边插槽,而2个并联的MOSFET将位于飞轮或底边插槽中。将12V的输入降压为1.2V的输出,那么占空比是10%,所以高端MOSFET将调节为低开关损耗,而低端MOSFET对将把RDS(ON)调节到最低,以最小化传导损耗。


    由分立的驱动器和MOSFET实现的多相VRM VCORE方案的典型峰值效率是90%,出现在每相额定电流10A处,而在满载30A电流时,效率降低到85%。对于今天的设计人员而言,完整的VRM系统通常输出功率为100W,效率为85%,也就是说功率损耗为15W。

    硅基MOSFET的逐步改进


    MOSFET厂商主要通过两种方式来优化工艺的发展。首先,为了改善产品的开关特性(开关速度),他们实施了先进的栅极结构设计,降低了栅极电荷(Qg)效应。其次是增加单元密度,也就是说,在大小相同的晶片上,导通电阻显著降低。RDS(ON)和电流是MOSFET传导损耗的两项决定因素,传导损耗的计算公式很简单:


Ploss=I2×RDS(ON)  传导损耗
Ploss=1/2V×I×(Tr+Tf)×F  开关损耗
    图2显示了Fairchild公司≤30V的N沟道MOSFET单元密度的进步。每个条形都表示新的工艺进步。可以看到,在最近的十年中,单元密度从3200万单元/平方英寸增加到现在的10亿单元/平方英寸。

    MOSFET性能系数


     在业界,常用的性能测量方法始终是性能系数(FOM),而从根本上讲,这只不过是综合考虑了晶体管导通电阻和栅极电荷。


FOM=RDS(ON)×Qg
    RDS(ON)直接与传导损耗有关,而Qg直接与开关损耗有关。FOM越小,性能越好。
图3显示了低电压MOSFET工艺发展中FOM的进步。对于2004年实施的PowerTrench3而言,最好的FOM是240,而今天的PowerTrench5硅工艺中最好的FOM是126。

    遗憾的是,FOM降低50%并不意味着MOSFET损耗减少50%,因为它们的关系不是线性的。不过,通过仔细的选择和优化,今天的MOSFET仍然可以显著降低系统的功率损耗。

    系统级效率


    因此,功率MOSFET是DC/DC功率电路中功率损耗的罪魁祸首,通过采用先进的器件,可以将这一损耗大幅降低。那么这与系统总体效率有什么样的关系呢?
设计人员寻求方法来改善负荷分别为低、中等、高时整个机器工作范围内的系统效率。在满载时,例如在计算机启动或者处理工序繁忙时,功率系统中传导损耗占主导。只需选择RDS(ON)较小的MOSFET就可以显著降低损耗。非常有趣的是,大多数PC在工作使用期中大部分时间处于待机或睡眠状态,因此低负荷时的效率非常重要。

     图4显示了实际的效率图,数据取自台式机电源整流器模块相位管柱。这4条曲线是将2个不同的MOSFET器件分别在300kHz和550kHz处得到的结果。我们可以看到整个负载电流范围内的效率。


     注意上面的两条曲线,在满载(30A)时,可以看到最新的器件的效率有1.5%的改进。同样还是这两条曲线,在负荷较小(15A)时,可以实现0.69%的改善。如果对整个负荷范围积分,那么与今天常见的方案相比,使用最新的MOSFET器件时平均功率损耗可以降低8%~10%。即使在较高的开关频率541kHz处,可以看到在负荷小时系统级效率仍然高于80%,而在满载时效率大于70%。如果频率继续增加,那么开关损耗将急剧增加。


     大多数DC/DC变换器的最佳工作频率是250~300kHz,因为这样的频率所产生的开关损耗和传导损耗都可以承受,而且输出到负载的纹波也足够低。工作在250kHz以下时效率会更高一些,但是电压输出的偏差可能太大,因此无法用来给Pentium芯片组供电。


    同样的想法可以用于笔记本电脑处理器的电源、游戏机,还可以用在置顶盒和其他家用消费电子产品,尽管它们的电流要小得多。每一毫瓦的能源节省看起来都举步维艰。不过,它可以为今天的环境问题造成全球的改善。许多方法上的小的改进都会产生显著的效果。

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