CEVA首席执行官Gideon Wertheizer评论说：“我们很高兴地宣布翱捷科技选择在其SoC中部署多种CEVA威廉希尔官方网站 ，这肯定了我们作为视觉、语音、蜂窝和连接的一站式IP企业的价值定位。我们期待与翱捷科技建立长期成功的合作关系，助力他们应对新兴的智能手机和IoT市场。”
4.「阿丘科技」完成800万美元A轮融资，DCM和百度风投领投；
36氪今日获悉，此前报道过的高科技创业公司阿丘科技（Aqrose）已完成800万美元A轮融资，由DCM、百度风投（BV）领投，长石资本和天使轮投资机构跟投。 本轮融资将主要用于扩充研发和市场人员，以及打造工业机器人的视觉威廉希尔官方网站 平台。 此前，阿丘科技获得英诺天使和臻云创投的千万元天使轮投资。
阿丘科技主要专注于CV & Robotics 底层威廉希尔官方网站 的研发，并有两条主要的业务线——基于机器学习的视觉检测系统，和基于3D视觉的智能分拣系统。 在成立不到一年的时间内，阿丘科技将这些威廉希尔官方网站 在多个场景中落地。
创始人黄耀表示，公司将继续加大机器学习、3D视觉和Robotics等基础威廉希尔官方网站 的研发和储备。 短期内聚焦质检和分拣两大业务线，重点应用于3C电子、汽车零部件和物流三大领域。 长远来看，坚持以视觉为切入点，将AI和机器人结合，去探索和扩展机器人应用的边界。
DCM董事合伙人曾振宇表示，DCM长期看好利用威廉希尔官方网站 来提高生产效率的大方向。 DCM很荣幸和阿丘合作，共同探索用人工智能改造传统行业的商业模式。 百度风投（BV）CEO刘维表示，机器视觉作为AI大脑的核心信息来源，推动着AI不断开疆拓土。 阿丘作为一家专注于工业机器人视觉威廉希尔官方网站 的前沿科技公司，将大大拓展工业机器人的适用范围，也为工业机器人生态的发展补上一块关键短板。
阿丘科技创始团队来自清华人工智能实验室，近期也吸引了多名行业资深人才加盟。 目前已在昆山、深圳设立办公室，期待更多计算器视觉、机器人等领域专业人才加入，一起去推动AI威廉希尔官方网站 在自动化及机器人领域的应用。
5.湖南8家集成电路企业获超5.1亿元意向投资；
1月18号，湖南省集成电路产业优秀科技创新企业投融资路演会在省科技厅举行。
湖南省集成电路设计与应用产业威廉希尔官方网站 创新战略联盟内的进芯电子、天羿领航、迈克森伟电子等8家企业参加路演，获得意向投资金额5.1亿元。据悉，依托产业威廉希尔官方网站 创新战略联盟开展投融资路演，在湖南省尚属首次。
根据湖南在集成电路产业方面的规划，起步阶段（2015-2017年），湖南将重点扶持2-3家集成电路龙头企业，培育一批以工业控制、轨道交通、数字电视、汽车电子、卫星导航芯片为主业的集成电路企业。
而在发展阶段（2017-2020年），将建成拥有国际先进水平的集成电路特色工艺生产基地。通过制造、设计和市场的联动，推动至少8家集成电路公司上市，实现产业产值突破400亿元，成为国家重点集成电路产业基地。
据了解，近年来，湖南省集成电路产业复合增长率达到50%以上，已初步形成以芯片设计和IGBT为特色的长沙、株洲两大产业集聚区，目前已涵盖集成电路设计、制造、封测、设备以及材料等产业链各环节。
6.半导体所等在拓扑激子绝缘体相研究中取得进展
上世纪60年代，诺贝尔奖获得者Mott提出激子绝缘相，Mott提出考虑库仑屏蔽效应，在半金属体系中电子-空穴配对而形成激子，可能会导致体系失稳，从而在半金属费米面处打开能隙，形成激子绝缘体状态。但迄今为止，实验上观测激子绝缘体相是一个尚未完全解决的关键科学问题。激子绝缘体相存在及其玻色-爱因斯坦凝聚的确凿证据并不充分，主要是由于激子的寿命较短，带来观测上的困难。
InAs/GaSb半导体量子阱系统是重要的红外探测器体系，其能带结构独特，本征情况下会自发形成空间分离的二维电子气和空穴气。由于其电子、空穴的空间分离，激子寿命变长，为研究激子绝缘体提供了良好的平台。在InAs/GaSb半导体量子阱中，通过调节InAs和GaSb层厚，可使GaSb层的价带顶高于InAs层的导带底，体系中可以自发地形成局域于InAs层的电子气和局域于GaSb层的空穴气，两者在实空间分离。美国斯坦福大学张首晟研究组的理论工作证明，InAs/GaSb量子阱的基态是二维量子自旋霍尔绝缘体；美国莱斯大学/北京大学杜瑞瑞实验组在该系统中观察到拓扑边缘态的输运，并发现边缘态输运即使在强磁场下仍能保持。
如果考虑电子-空穴间的库仑作用，即当激子束缚能大于体系的杂化能隙时，理论上猜想该体系基态形成如Mott预言的激子绝缘体相甚至拓扑激子绝缘相。美国莱斯大学/北京大学杜瑞瑞实验组、美国莱斯大学大学Kono实验组和中国科学院半导体研究所常凯理论组，从实验和理论两方面研究InAs/GaSb量子阱中的激子绝缘相。研究员常凯、副研究员娄文凯构造了平行磁场下激子的多带量子多体理论模型，研究激子绝缘相的基态及其独特的色散，发现激子的基态是处于有限动量处的暗激子。在低温且低电子-空穴对密度情形下，体系打开类似BCS超导体中的能隙。通过研究激子的色散关系，提出利用太赫兹透射谱来验证激子绝缘体的存在，指出太赫兹透射谱表现为两个吸收峰，理论计算预言的吸收峰位与实验一致，为激子绝缘相光学观测提供了理论依据。
相关研究成果发表在Nature Communications上。
（a）InAs/GaSb量子阱能谱图；（b）实验装置示意图；（c）激子绝缘体色散关系；（d）激子绝缘体联合态密度；（e）THz吸收谱；（f）-（h） THz吸收谱：固定磁场不同温度（f），固定温度不同磁场（f，h）；（i）带隙与温度关系；（j）测量纵向电导与门电压之间关系；（k）不同磁场强度下InAs/GaSb能谱结构。