GAT 联栅晶体管
联栅晶体管是一种新型功率开关半导体器件，简称GAT。GAT是介于双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)之间的特种器件，兼有BJT和FET的双重优点，特别适合用作荧光灯电子镇流器中的功率开关。其主要特点为：(1)动态损耗小，开关速度快；(2)二次击穿耐压高，功率容量和安全工作区大；(3)具有负的温度系数，热稳定性好：(4)抗冲击能力和抗高频辐射能力强，保证电路工作频率的稳定。
GAT的等效电路结构如图1所示。国外型号有：C2621、C2333等，2SG系列是国产代表性产品之一。目前有的厂家将两只GAT接成推拉方式封装在一起，组成模块，给使用带来方便。图2示出的是2DM模块的内部结构，2DM模块的型号及主要特性参数如表1所示。采用2DM模块作功率开关器件的16 w双D型电子节能灯电路如图3所示。除采用GAT作为功率开关晶体管取代BJT或VD—MOST外，就电路结构本身而言，并没有特别之处。
GAT的特性比较接近双极性静电感应晶体管(BsIT)。使用这种器件时应注意以下几点：(1)GAT属于 电流驱动型，其激励电压幅度比一般BJT高，峰值驱动脉冲达3．5 V左右。因此，为选择最佳工作点，对脉冲变压器初、次级绕组匝数及基极限流电阻应调整到合适值，否则GAT将无法正常工作；(2)GAT的输入阻抗略高于BJT，但低于FET，当其工作于高频状态下时，可在输入回路并一只容量合适的小电容；(3)GAT开关速度非常快，使用中应注意设法避免或抑制寄生振荡。