磁敏二极管
1967～1968年，日本先后研制成硅、锗磁敏二极管。这类新型器件的转换灵敏度比霍耳元件高数百甚至数千倍。磁敏二极管是P+-i-n+型长二极管（i表示近本征型半导体）。其原理是在外加电压的作用下，由P+、n+区向i区注入载流子（空穴与电子），此时它们若受到垂直于载流子运动方向的磁场H +的作用便向复合区偏转。载流子在复合区的复合概率高于i区,因而寿命缩短,减小有效扩展长度,使i区压降增加，P+-i结和i-n+结的结偏压下降,通过i区的电流减小。在相反磁场H -的作用下，上述过程则相反。因此可用以测量磁场。磁敏二极管适用于测量弱磁场（如用于地磁测量仪），可制成借助磁场触发的无触点开关。例如利用导线周围的磁场制成无接触电流表，利用磁场变化制成调制器、自动增益控制电路和无触点电位器，以及同其他器件组合制成直流无刷电机等。它在自动化仪表中的应用潜力很大。