英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19282 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35331 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更高的温度和电压下工作，实现更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中，碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29186 碳化硅二极管的优点和局限性分析 碳化硅（SiC）二极管是一种新型半导体材料，在高频电源电子装置中得到了广泛应用。与传统的硅（Si）材料相比，碳化硅二极管具有许多优点和局限性。下面是对碳化硅二极管
2023-12-21 11:31:27408 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33455 
MOS管在直流充电桩上的应用，推荐瑞森半导650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超结MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
和IGBT的区别。 1. 结构差异： 碳化硅是一种化合物半导体材料，由碳原子和硅原子组成。它具有非常高的熔点和热导性，使其在高温和高功率应用中具有出色的性能。碳化硅晶体管的结构通常更复杂，由多个寄生二极管组成，因此其电子流动路径更复
2023-12-08 11:35:531782 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10422 
三安光电目前拥有1200V系列碳化硅二极管（sic）和mosfet，可应用于800v平台。其中，碳化硅（sic）二极管产品经过持续的反复作业，推出了第四代高性能产品，7种产品通过汽车规格认证
2023-10-12 10:59:55617 ，有助于满足现代电子威廉希尔官方网站
对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV，极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管(FWD)构成，续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料，按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管(SBD)。材料与结构两两组合就形成了4种结果
2023-09-22 10:26:25205 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260 碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02879 
本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件，功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管（主要是碳化硅肖特二极管）。
2023-09-08 11:30:451805 
如今，大多数半导体都是以硅（Si）为基材料，但近年来，一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅，也称为SiC。目前，SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体威廉希尔官方网站
。
2023-09-05 10:56:05277 
在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia
2023-08-14 16:06:29540 
宽带隙半导体使许多以前使用硅（Si）无法实现的高功率应用成为可能。本博客比较了两种材料的特性，并说明了为什么碳化硅二极管（SiC）在多个指标上具有明显的优势。
2023-08-04 11:04:17480 1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高电压、高性能 Z-Rec ©碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式，可
2023-07-31 10:15:57
1200 V、20 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二极管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管降低系统尺寸、重量和冷却要求。这些二极管提供
2023-07-31 10:13:58
电压/高温测试的 1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管。E 系列二极管非常适合车载和非车载汽车充电器应用以及太阳能逆变。 特征1200
2023-07-31 10:05:53
1200 V、15 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二极管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管降低系统尺寸、重量和冷却要求。这些二极管提供
2023-07-31 10:03:33
1200 V、10 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二极管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管降低系统尺寸、重量和冷却要求。这些二极管提供
2023-07-31 10:01:33
电压/高温测试的 1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管。E 系列二极管非常适合车载和非车载汽车充电器应用以及太阳能逆变。 特征1200 伏肖特基整流
2023-07-31 09:58:26
1200 V、8 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二极管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管降低系统尺寸、重量和冷却要求。这些二极管提供
2023-07-31 09:52:20
1200 V、5 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二极管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管降低系统尺寸、重量和冷却要求。这些二极管提供
2023-07-31 09:50:22
1200 V、2 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二极管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管降低系统尺寸、重量和冷却要求。这些二极管提供
2023-07-31 09:46:38
碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 1700V,25A,至247-2包件,第六代离散的斯-肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
1700V,10A,至247-2包件,第六代离散的斯-肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基二极管
2023-07-27 10:19:54
1700V,5A,至247-2包件,第6代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基二极管可以很
2023-07-27 10:17:56
1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08
1200V,40A,至247-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的C4D40120H是一个1200V离散碳化硅肖特基二极管(40A),其特点是MPS(合并PIN肖特基)设计,是更强大和可靠
2023-07-27 10:14:00
1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50
1200V型,30A型,至247-2型包,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的C4D30120H是一个1200V离散碳化硅肖特基二极管(30A),其特点是MPS(合并PIN肖特基)设计,是更强
2023-07-27 09:46:22
1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25
1200V,20A,到220-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管
2023-07-27 09:40:47
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59
1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31
1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59
1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43
1200V型,15A型,至247-2型包,第4代离散的SCHHOSTKY二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准
2023-07-27 09:09:11
1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:49:42
1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42
1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:43:35
1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:41:29
1200V,8A,到220-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:30:11
1200V,8A,到252-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅 建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格
2023-07-26 17:27:50
1200V,5A,到220-2包件,第4代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格,
2023-07-26 17:25:50
1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅建立一个强大的组合,提高效率和降低组件价格.
2023-07-26 17:23:39
1200V,2A-220-2包件,第4代离散S肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:19:54
1200V,2A,至252-2包,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:17:31
1200V,2A,至252-2包,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管。将
2023-07-26 17:15:10
600 V、20 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:50:38
600 V、16 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:46:45
600 V、10 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:39:12
600 V、10 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:29:01
600 V、8 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:24:29
600 V、8 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:21:52
600 V、6 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:17:04
600 V、6 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:14:55
600 V、6 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:12:16
600 V、4 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:09:36
600 V、4 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:07:08
600 V、4 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 09:51:09
600 V、3 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 09:21:52
600 V、3 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-24 17:45:09
600 V、2 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-24 17:42:41
600 V、2 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-24 17:37:00
600 V、2 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-24 17:32:22
600 V、1 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
600 V、1 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-24 17:23:06
等特性，从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电和电动汽车等高压大功率应用中，碳化硅材料的优势得以充分发挥。 纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。 其
2023-07-10 15:45:02324 
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管，耐压650V 6A DFN5*6封装，原装，库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量，可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管，原装，库存现货热销MSM06065G1 品牌：美浦森 封装：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6，原装，库存现货热销 MSM06065G1 品牌：美浦森 封装：DFN5
2023-07-05 15:50:06
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺威廉希尔官方网站
结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
2023-06-15 10:36:54205 
碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅肖特基二极管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一种高性能半导体器件，具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点，广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。
2023-06-04 16:09:002089 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 智能电源和智能感知威廉希尔官方网站
的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
2023-05-25 10:39:07281 根据公司披露：上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiC MOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围
2023-05-25 10:34:27903 
、高速数字电路、射频电路等领域。相比于普通的 pn 结二极管，肖特基二极管的 pn 结由金属与半导体材料直接接触形成，而不是由掺杂半导体 。其工作原理为，当肖特基二极管正向偏置时，电子从金属侧进入半导体中
2023-05-23 14:47:57
了解电源中碳化硅 （SiC） MOSFET 和肖特基二极管的在线行为是设计过程中的关键组件。与硅基威廉希尔官方网站
相比，作为一项相对较新的威廉希尔官方网站
，可视化这些碳化硅组件的性能可以帮助设计人员更轻松地利用这项威廉希尔官方网站
。
2023-05-20 17:02:261014 
碳化硅的RDS（ON）较低，因而开关损耗也较低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子威廉希尔官方网站
领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。
2023-05-18 12:46:40277 
年来碳化硅材料应用于电子设备威廉希尔官方网站
有了长足的发展，碳化硅材料比通用硅有更突出的优点
2023-05-05 17:00:1195 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点，使得在PFC电路（功率因数校正）上的MOSFET开通损耗减少，效率得到进一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384 
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
介绍了SIC碳化硅材料的特性，包括材料结构，晶体制备，晶体生长，器件制造工艺细节等等。。。欢迎大家一起学习
2023-03-31 15:01:48
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