有了全面的提升。 性能全方面提升 英飞凌在2017年正式推出了第一代沟槽栅SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飞凌采用沟槽
2024-03-19 18:13:18
1431 
FS4001H系列DFN1x1-6小封装单节锂电充电芯片在穿戴产品小电池充电中的应用随着科技的快速发展，穿戴式电子产品已成为我们日常生活的重要组成部分。智能手表、健康追踪器、无线耳机等穿戴产品，以其
2024-03-12 19:15:20
Diodes 公司推出一款符合汽车规格* 的新型线性 LED 驱动器，让用户能独立控制三个通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31640 【2024 年 03月 11日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款符合汽車規格* 的新型線性 LED 驅動器，讓使用者能獨立控制三個通道的亮度
2024-03-12 14:30:46195 
电子发烧友网站提供《采用DFN封装的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降压/升压转换器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-07 10:11:32
0 慧能泰特别推出了HP3000双通道低侧驱动器，采用2 mm x 2 mm DFN-8L的超小型封装形式，支持高达35 V的供电耐压。
2024-02-21 09:23:00329 
电子发烧友网站提供《DFN2020MD-6；SMD卷轴包，7“；Q2/T3产品方向包装信息.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:04:500 IRL540NSPBF-VB是VBsemi品牌推出的N沟道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），具有TO263封装。以下是详细参数说明和应用简介：**详细参数
2024-02-19 15:15:57
电子发烧友网站提供《DFN2020-6；SMD卷轴包SOT1220-3包装信息.pdf》资料免费下载
2024-02-05 09:29:481 Diodes公司近日宣布推出三款符合汽车标准的新型双通道高侧电源开关，分别为ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS82180S14PQ。这些新品进一步丰富了其IntelliFET自我保护型MOSFET产品组合，为汽车行业带来了更强大的电源管理解决方案。
2024-02-03 11:03:25347 【 2024 年 1 月 31 日美国德州普拉诺讯】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽车标准的双通道高侧电源开关 — ZXMS82090S14PQ
2024-02-01 18:01:201090 
DFN封装是一种先进的电子元件封装工艺，与SMD封装相比，DFN封装提供了更高的灵活性和稳定性。
2024-01-28 17:24:551388 整流二极管。 DK5V100R10VN采用PDFN5*6封装。 主要特点 适用于反激 PSR、SSR 应用 超低 VF
2024-01-27 16:58:41
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，该器件采用AOS创新型双面散热DFN 5 x 6 封装。客户系统研发人员一直以来把 AOS 产品作为其方案设计的重要组件之一，帮助客户实现各种高性能应用
2024-01-25 15:18:42617 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 将 AH371xQ 系列高电压霍尔效应锁存器加入产品组合。
2024-01-05 13:52:22334 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 威廉希尔官方网站
的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项威廉希尔官方网站
经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
保护机制包括逐周期峰值限流、软启动、输出短路保护和过温保护。SL3041 外围电路简单，封装采用ESOP8
特点： ● 3A输出峰值电流 ● 10V至100V宽工作电压范围 ● 内置功率MOSFET
2023-12-21 15:27:51
应用的80V 和 100V MOSFET，这两款车规级器件是TO-Leadless (TOLL) 封装。AOS TOLL 封装旨在优化功率半导体器件成为电动汽车发展中的重要组件，尤其是在两轮和三轮及其
2023-12-14 16:55:24949 (ON)）：1.8mΩ @ 10V, 2.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 阈值电压（Vth）：2V- 封装：DFN8(5X6)应用简介：SIR802DP-T1-GE3-VB
2023-12-14 15:34:43
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494 
科晟MOS，主打水泵风扇按摩椅电机浴霸自动马桶扫地机气泵等等
KORSUN MOSFET的优势主要表现在以下几个方面：
1、高效性能：KORSUN MOSFET采用先进的制程威廉希尔官方网站
，具有良好的开关性能
2023-12-11 15:23:29
集成电路封装的历史，其发展主要划分为三个阶段。第一阶段，在二十世纪七十年代之前，以插装型封装为主。包括最初的金属圆形（TO型）封装，后来的陶瓷双列直插封装（CDIP）、陶瓷-玻璃双列直插封装
2023-12-11 01:02:56
FDMC8026S（VBQF1310）是一款电源应用型MOSFET产品，采用N沟道结构，封装为DFN8（3X3封装）。其参数包括：工作电压30V、最大电流40A、静态导通电阻RDS(ON)为11m
2023-12-06 15:24:44
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver。
2023-11-30 14:04:49370 为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封装的200,227V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 阻为47mΩ，4.5V时为56mΩ。阈值电压为-1V，采用SOT23封装，便于安装和布局。AO3401 MOSFET在电子领域有广泛的应用，尤其在以下领域：电源管理
2023-11-23 11:58:58
；
第三种：SOP封装，也叫小外形封装（Small Outline Package），引脚从封装两侧引出呈L字形状，是表面贴装型封装之一，由SOP衍生出SOJ,J形引脚小外形封装，TSOP薄小外形封装
2023-11-22 11:30:40
充电，对电池起到保护作用。其他功能包括芯片使能输入，状态指示输出端等。FS4067采用8管脚的SOP8封装。
特点
●输入电压范围: 2. 7V到6.5V
●可调设置至3A的输出充电电流
●工作电流
2023-11-21 12:14:43
我公司现拥有6SE7036-0EK6型315KW 的西门子变频器，其使用说明书没有，请各位老师能否赐给（电子版）？6SE7085-0QX60型使用说明书能否适用6SE7036-0EK6型？谢谢
2023-11-21 07:04:24
Wolfspeed 采用 TOLL 封装的碳化硅 MOSFET 产品组合丰富，提供优异的散热，极大简化了热管理。
2023-11-20 10:24:00319 
为了扩大QSiC SiC模块的选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET，可与或不与1,200V SiC肖特基二极管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能 ESOP8/DFN2x2-8/DFN2x3-8/DFN3x3-8封装 符合RoHS标准描述PC3221是一款适用于单节锂电池的完整恒流/恒压
2023-11-08 10:12:35
1.9Vth (V) 封装类型 DFN8 (5X6)应用简介 SIR422DPT1GE3是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有较高的
2023-11-03 13:55:28
DFN2020B-6L, MOSFET
2023-11-01 14:59:17
1、SiC MOSFET对器件封装的威廉希尔官方网站
需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
阻为47mΩ，4.5V时为56mΩ。阈值电压为-1V，采用SOT23封装，便于安装和布局。AO3401 MOSFET在电子领域有广泛的应用，尤其在以下领域：电源管理
2023-10-26 16:21:10
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS威廉希尔官方网站
。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅威廉希尔官方网站
、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 概述：
YB5082是一款工作于3 .0V到6 .5V的PFM升压型双节锂电池充电控制集成电路。YB5082 采用恒流和恒压模式(Quasi-CVTM)对电池进行充电管理， 内部集成有基准电压源
2023-10-12 15:36:55
（UVLO）；
前缘冲裁（LEB）；
逐周期过电流保护（OCP）；
输出开路/短路保护（OVP/OSP）；
热折返保护（TFP）；
超温保护（OTP）；
SO-7封装；
应用
电源可调光LED灯；
脱机LED电源驱动程序；
2023-10-12 15:09:18
采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装，并集成BJT和电阻，加倍节省空间
2023-09-27 14:36:141020 电子发烧友网站提供《DFN2020MD-6:带有侧边可湿焊盘的无引脚封装.pdf》资料免费下载
2023-09-27 10:06:111 采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装，并集成BJT和电阻，加倍节省空间 奈梅亨， 2023 年 9 月 27 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布新推出全新
2023-09-27 09:19:43340 
电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出一款适用于各种车用 LED 产品应用的升压/单端初级电感转换器 (SEPIC) 控制器。
2023-09-26 14:13:26586 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 热插拔专用 MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:10385 DMP4047LFDE 产品简介DIODES 的 DMP4047LFDE 这款新一代 40V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能
2023-09-14 19:46:59
本威廉希尔官方网站
笔记为采用 HLGA 表面贴装封装的 MEMS 传感器产品提供 PCB设计和焊接工艺的通用指南。
2023-09-13 08:03:50
DMP1245UFCL 产品简介DIODES 的 DMP1245UFCL 该器件采用热效率和空间效率 高的 X1-DFN1616-6 封装，提供高性能、低 R DS(ON) P 沟道
2023-09-11 16:25:01
和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
2023-09-08 06:00:53
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32731 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
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笔记为采用 HLGA 表面贴装封装的 MEMS 传感器产品提供 PCB 设计和焊接工艺的通用指南。
2023-09-05 08:27:53
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笔记为采用 LGA 表面贴装封装的 MEMS 传感器产品提供通用焊接指南。
2023-09-05 07:45:30
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC威廉希尔官方网站
广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
PL8311是宝砾微电子推出的一款36V，1.5A单片式降压型开关稳压器。 PL8311集成了36V 250mΩ高侧和36V，140mΩ低侧MOSFET，可在4.5V至36V宽工作输入电压范围内提供
2023-08-23 17:07:49
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
KUU推出采用DFN5*6-8L无铅塑料封装的N-SGTMOSFET产品KM4110N-568。产品使用先进的屏蔽栅沟槽（ShieldGateTrench）威廉希尔官方网站
，同时降低了器件导通电阻Ronsp
2023-08-19 08:30:24391 
包括输出短路保护(OSP) ，逐周期峰值电流限制，热调节，热停机，输入 UVLO，输出 OVP 等
双输出平均电流限制与稳定的 CC 环
QFN5x5-32封装
典型应用：
汽车启停系统
工业PC电源
USB电源传输
线路图示：
2023-08-16 11:33:09
产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在 6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A 最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
QFN、DFN封装是一种先进的封装形式，即双框架芯片封装。它具有小体积、高密度、热导性好等优点，被广泛应用于集成电路封装领域。QFN、DFN封装工艺包括以下几个步骤：芯片切割：使用划片机等设备将芯片
2023-07-24 09:30:23950 
通过AEC-Q101认证且可承受的接面温度高达175°C，强茂P沟道MOSFET是汽车设计工程师理想的选择，可实现简化电路而又不牺牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多种封装。
2023-07-20 15:57:45526 深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管，耐压650V 6A DFN5*6封装，原装，库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量，可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管，原装，库存现货热销MSM06065G1 品牌：美浦森 封装：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
DMN2020UFCL产品简介 DIODES 的 DMN2020UFCL这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能
2023-06-30 23:20:16
1ns
DFN10封装有使能引脚，待机时静态功耗低至7uA
SOP8、HSOP8、DFN10、DFN8封装
结温范围-40°C~150°C
NSD1224典型应用框图纳芯微NSD1224半桥驱动性能优异
2023-06-27 15:14:07
、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN3820A封装。这四款新器件为商业、工业和车载应用提供节省空间的高效解决方案，每种产品都有
2023-06-26 15:19:16372 
Vishay 新型 Power DFN 系列 DFN3820A 封装 汽车级 200V、400V 和 600V 器件高度仅为 0.88 mm 采用可润湿侧翼封装 改善热性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
ZXTP56060FDBQ 产品简介DIODES 的 ZXTP56060FDBQ（双路 PNP，60V，2A，DFN2020-6 (SWP)）这种双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车
2023-06-13 11:49:21
ZXTP56020FDBQ 产品简介DIODES 的 ZXTP56020FDBQ（双路 PNP，20V，2A，DFN2020-6 (SWP)）这种双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车
2023-06-13 11:37:27
最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆威廉希尔官方网站
和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
保护和过温保护。
SL3041 外围电路简单，封装采用ESOP8
特点
3A输出峰值电流
10V至100V宽工作电压范围
内置功率MOSFET
110KHZ固定开关频率
软启动
输出短路保护
2023-05-24 16:39:12
“ 引言 ” 近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊威廉希尔官方网站
2023-05-23 17:14:18618 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
Vishay 推出三款新系列汽车级表面贴装标准整流器，皆为业内先进的薄型可润湿侧翼 DFN3820A 封装器件。
2023-04-28 09:09:53390 
温湿度传感器DFN封装芯片管脚焊点保护防振动补强用底部填充胶应用由汉思新材料提供客户的产品是DFN封装IC芯片（双边无引脚扁平封装）的温湿度传感器，尺寸为2.5*2.5*0.9(长宽高)客户需要
2023-04-17 16:10:03495 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 KUU推出采用DFN3.3*3.3-8L无铅塑料封装的P-TrenchMOSFET产品K060P03M。DFN3.3*3.3-8L无铅塑料封装占位面积仅有3.3*3.3mm，高度仅为0.65mm
2023-04-12 14:43:41472 OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5822在6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
电流限制和热关断等保护功能。0C5864 采用 SOT23-6 封装,且外围元器件少。效率高达90%固定 500kHz 频率热关断逐周期过流保护宽输入电压范围：5.5~60V采用 SOT23-6 封装应用电表分布式电源系统电池充电器线性稳压器的预调节器
2023-04-07 16:43:02
IC REG LDO 1.2V 0.6A DFN2020-6
2023-04-06 15:42:41
IC REG LDO 2V 0.6A DFN2020-6
2023-04-04 22:25:28
IC REG LDO ADJ 0.3A DFN2020-6
2023-04-04 22:24:27
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺威廉希尔官方网站
来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39987 MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6
2023-03-29 10:14:36
MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6
2023-03-29 09:57:23
MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6
2023-03-27 13:52:41
IC REG LDO 1.8V 0.6A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:50
IC REG LDO 1.5V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:38
IC REG LDO 1.8V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:38
IC REG LDO 3V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:38
IC REG LDO 1.5V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:27
IC REG LDO 2V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:27
IC REG LDO 3V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:27
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