电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:23
0 耐压30V降压恒压芯片的工作原理如下：
该芯片内部集成了开关管和同步整流管，通过它们进行电压的转换，将输入的30V电压降至所需的输出电压（如12V或5V）。在工作过程中，该芯片通过PWM
2024-03-22 11:31:10
项目要做一个DC-DC车载电源，输入300—1000V，输出0—30V，功率大概2KW, 目前考虑到效率问题，想用两级级联的结构，前级和后级用什么拓扑比较好？
2024-03-19 14:13:37
电路和系统。
DC-DC30V降压24V、12V、5V、3.3V/1A H4110降压稳压芯片
产品描述
H4110是一种内置30V耐压MOS，并且能够实现精确恒压以及恒流的异步降压型 DC-DC
2024-03-19 10:28:19
服务范围大规模集成电路芯片检测标准●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110●J-STD-020●JS-001/002●JESD78检测项目（1）芯片级可靠性验证试验
2024-03-14 16:28:30
苹果公司在官网推出了新款MacBook Air，搭载高性能M3芯片，提供13英寸和15英寸两种尺寸选择。新款MacBook Air不仅性能卓越，还拥有出色的电池续航，最长可达18小时，满足
2024-03-13 17:37:56
292 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在电子元件领域不断创新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。这款新型热敏电阻以其宽阻值范围、高电压处理能力和高能量吸收能力，为汽车和工业应用中的有源充放电电路带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的威廉希尔官方网站
创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
，标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新威廉希尔官方网站
的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:240 压的应用需求。
产品特性
l内置30V耐压MOS,支持2.5V-24V输入
l低静态电流：100uA
l输出电流：16~2000mA
lPWM调光：最高频率25KHz，分辨率可达1000：1
l输出电流精度
2024-02-01 16:44:39
Vishay威世科技日前宣布，其光电子产品部推出了一款全集成超小型接近传感器——VCNL36828P。这款传感器专为提高消费类电子应用的效率和性能而设计。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM2016 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。 产品特性• 电流
2024-01-10 11:52:17
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。 产品特性• 电流
2024-01-10 11:39:17
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。产品特性• 电流量程多档可选
2024-01-10 11:30:06
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。 产品特性• 电流
2024-01-10 11:11:12
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM2013 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。产品特性• 电流量程多档可选
2024-01-10 11:05:46
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。产品特性• 电流量程多档可选
2024-01-10 11:02:19
深圳市港禾科技有限公司产品描述NSM201x 系列是纳芯微推出的200A 以下的芯片级电流传感器，其主要应用于对200A 以下的电流做隔离测量。产品特性• 电流量程多档可选
2024-01-09 14:31:11
在双电源±15V的供电的状态下，ADG1408的模拟通道能输入30V（相对GND）的模拟电压吗？
2024-01-05 12:57:40
, 20Vgs (±V)- 阈值电压：-1V- 封装：SOT23**详细参数说明：**RSR025P03TL-VB是一款P沟道MOSFET，最大耐压为-30V，最大
2023-12-20 15:58:08
。- **工作电压（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。- **持续电流（ID）：** -7A，表示MOSFET可以承受的最大电流
2023-12-18 17:03:12
。- **工作电压（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。- **持续电流（ID）：** -6A，表示MOSFET可以承受的最
2023-12-18 10:18:54
集特推出新款龙芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 威廉希尔官方网站
和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电
2023-11-23 11:58:58
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，外置N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压电路可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何设计一个高效率低功耗低噪声的直流3V升压到30V的电路？
电流1ma之内即可。
2023-11-16 06:36:14
生成式AI火爆全球之后，英伟达的AI芯片一张难求，就在英伟达重量级选手H100 AI芯片目前依然是一货难求的情况下，英伟达推出新款AI芯片H200。 H100目前算是算力市场硬通货，而H200则更强
2023-11-14 16:45:50916 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57663 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 型号 20P03丝印 VBE2338品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 26A 开通电阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型号 AP6679GH丝印 VBE2309品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 60A 开通电阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12m
2023-11-06 09:41:12
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET新洁能NCE30P12S，一款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽威廉希尔官方网站
，尽显卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L新洁能NCE30P30K，全新升级，为您的高电流负载应用提供强大支持！采用先进的沟槽威廉希尔官方网站
和设计，民信微我们
2023-11-03 20:39:340 型号 AOD425A丝印 VBE2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 40A 导通电阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型号 FDS4435BZNL丝印 VBA2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 7A 导通电阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型号 FDD6637丝印 VBE2309品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
AO4409详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源
2023-11-03 11:37:23
MT4606详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 9A (N沟道), 6A (P沟道) 导通电阻 15mΩ @ 10V (N沟道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
型号 ME4925丝印 VBA4317品牌 VBsemi参数 频道类型 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 8.5A RDS(ON) 21mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
2023-11-02 14:52:31
STM4639详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-11-02 09:37:49
型号 AO4425丝印 VBA2311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 11A 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型号 FDN304PNL丝印 VB2355品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
2023-10-31 11:24:55
型号 AP2303GN丝印 VB2355品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V 门源
2023-10-30 11:14:23
VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电
2023-10-26 16:21:10
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 1~~2W的隔离电源。
VPS8701B内部集成两个N沟道功率MOSFET和两个P沟道功率MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率MOSFET驱动
2023-10-12 10:04:51
电子发烧友网站提供《BUK4D50-30P P沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:35:370 电子发烧友网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 电子发烧友网站提供《BUK6D16-30E N沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:43:170 供应AP3400A N沟道 30V 5.8A MOS场效应管-mos3400规格参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供mos3400规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:28:260 供应AP30N03K 低结电容 30V MOS-30N03K场效应管参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30N03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:14:000 供应AP30H80K 30V 80A N沟道MOS管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供30H80K规格书参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:52:000 供应AP30H150KA 30V 150A N沟道MOS管-30h150场效应管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H150KA规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:39:500 V Vishay 推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降压稳压器，用来提高负载点 (POL) 转换器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
12V升30V升压芯片AH1160是一种电子元件，可以将电压从12V升高到30V。此芯片内置了60V NMOS升压型LED驱动器，可以有效地驱动LED灯。该芯片的反馈电流采样电压为250mV，可以用来监测LED驱动器输出电流的值。
2023-09-14 10:27:59509 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
供应AP90P03Q p沟道mos管 30v 60a丝印:90P03Q-铨力半导体代理，提供AP90P03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:40:01
供应AP50P03K 35a 30v p沟道增强型mos管丝印AP50P03，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:31:063 供应AP50P03K p沟道mos -30v -35a丝印:AP50P03 储能、小家电mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K 规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:30:12
供应AP18P30Q -20a -30v耐压的p型mos 丝印:18P30Q参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:590 供应AP18P30Q p沟道mos管 30v 20a 丝印:18P30Q，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:05
供应AP15P03Q PDFN3*3 P沟道-30v -12A vbus开关mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP15P03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:13:54
倍加福推出新款 VOC工业事件相机 ，再次扩展工业视觉产品系列。该相机可以实现 在触发信号前后长达 60 秒、以事件为驱动的视频记录 ，从而实现针对性的简单远程诊断以及 自动文档记录 。
2023-07-28 14:10:23513 在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
一、22AP80或SS522V100是入门级DVR解决方案，能做到4路1080p@30fps编码 +2路1080p@30fps解码 +多路图像分析方法智能算法；可以平替Hi3520DV510。
二
2023-06-17 18:57:03
供应mos PTS4842 30V/7.7A双n沟道mos管，提供4842双mos管规格书及关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:46:251 供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET，提供PTS4842双mos管关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:45:17
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
*附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路，限制
2023-06-05 22:50:12
亮钻推出新款核心板Y-3566，其采用四核Cortex-A55内核的瑞芯微RK3566处理器，主频可达1.8GHz。邮票孔接口设计，支持8GB大内存，集成最高1Tops AI算力的NPU，为用户提供“嵌入式”+“AI”解决方案平台。
2023-05-17 15:57:27965 
上海数明半导体有限公司最新推出的双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。
2023-05-17 11:18:21438 
请问CANbus至RS232协议转换器能够用30V电压的电源吗？
2023-05-09 11:03:26
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充电电流1~4节锂电池，升降压充电芯片
2023-04-19 20:49:56630 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充电电流1~4节锂电池，升降压充电芯片
2023-04-19 20:49:374 MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
-30V P沟道MOSFET
2023-03-28 12:55:19
30V P沟道MOSFET
2023-03-27 11:54:35
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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