IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2024-03-18 16:30:39262 亿纬锂能3月11日宣布,公司与StoreDot Ltd.签订了《战略合作框架协议书》,旨在充分整合双方资源及威廉希尔官方网站
优势,力促大规模生产安全的“超高速可充电电池”项目加速落地。
2024-03-13 15:09:38261 英飞凌新推出的IGBT7单管系列市场热度不减,本文为大家整理针对该产品系列的常见问题,一看就懂,牢牢码住!直播回放链接获取IGBT7都通过了哪些可靠性测试?答:IGBT不论单管和模块都需要通过
2024-03-05 08:17:27111 场景设计的产品,以其低延时、超高速等卓越性能,满足了市场对高速、稳定Wi-Fi连接威廉希尔官方网站
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2024-02-29 11:19:29143 在高压600V,额定电流10A的压缩机电机控制中,IGBT经常烧坏,主要有哪些原因导致它损坏。
2024-02-22 17:58:38
两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2023-12-18 09:40:221150 集特推出新款龙芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,该器件采用新一代高压 GaN HEMT 威廉希尔官方网站
和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 Picotest 是一家专门从事电源完整性和电源系统测试定制测试设备的公司,推出了一系列超高速瞬态负载电流步进器,彻底改变了电源完整性、热设计功率 (TDP)、IC 封装评估和电源系统测试的行业标准
2023-11-26 16:44:23877 Picotest 是一家专门从事电源完整性和电源系统测试定制测试设备的公司,推出了一系列超高速瞬态负载电流步进器,彻底改变了电源完整性、热设计功率 (TDP)、IC 封装评估和电源系统测试的行业标准
2023-11-15 16:26:10323 igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高电流功率半导体器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281260 超高速实时运动控制卡XPCIE1032H硬件介绍、交互原理以及指令说明。
2023-11-10 14:00:30299 全球被动元件领导厂商-国巨集团,推出新款薄膜氮化钽晶片电阻-NT系列。 NT系列产品具备抗湿、抗硫、高精密度、高稳定表现的特性,外壳尺寸从0402到1206 ,电阻范围为100Ω-481KΩ,具有
2023-11-08 11:08:37370 如何检测复杂的超高速调制光信号? 1. 背景介绍 随着通信威廉希尔官方网站
的不断发展,越来越多的通信系统采用了超高速调制光信号传输数据。超高速调制光信号的传输速度非常快,可以达到每秒数十亿次甚至数百亿次。然而
2023-10-30 11:01:09212 -通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸- 中国上海, 2023 年 10 月 26 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 ~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动威廉希尔官方网站
,助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC
2023-10-25 15:45:02192 ~采用业界先进的纳秒量级栅极驱动威廉希尔官方网站
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2023-10-19 15:39:38214 ,推出了系列化的满足工业应用、消费电子、新能源的IGBT模块,模块电压涵盖600V~1700V,电流等级涵盖10A ~ 800A。公司IGBT产品可广泛应用于白色家电、逆变焊机、工业变频、感应
2023-10-16 11:00:14
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布,将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-09-19 02:43:54232 在一篇名为“衍射门控实时超高速测绘摄影”的论文中,Liang与加拿大Concordia大学和Meta Platforms Inc.的合作者展示了一款新型衍射门实时超高速绘图(DRUM)相机,可以在每秒480万帧的单次曝光中捕捉动态事件。
2023-09-16 09:46:111139 电子发烧友网站提供《Xilinx FPGA和SoC的超高速设计方法指南.pdf》资料免费下载
2023-09-14 09:41:060 电子发烧友网站提供《简化超高速数字系统中确定性延迟的设计.pdf》资料免费下载
2023-09-14 09:27:370 高速电机的研究主要分为超高速化和大功率化两个方面。
国外对高速电机的研究时间相对较早,威廉希尔官方网站
较为成熟,并开始向系列化和产业化发展。
国内在超高速与大功率高速电机方面的研究已经
2023-09-06 11:15:55270 XPCIE1028超高速实时运动控制卡在六面外观检测高速视觉筛选中的应用,结合正运动威廉希尔官方网站
提供的专用筛选机调试软件,可实现15000+pcs/分钟的IO触发检测速度,只需简单参数设置,搭配图像采集硬件和视觉处理软件,即可快速实现全自动CCD视觉筛选。
2023-08-28 15:17:44661 等发明专利几十项,通过了欧盟标准的ROHS及REACH检测。萨科微slkormicro不断研究新威廉希尔官方网站
创新工艺和推出新产品,最近推出了SL40T120FL系列IGBT单管和CMOS运算放大器SLA333系列等产品,促进公司进步的同时也引领电力电子行业的不断发展。萨科微研发威廉希尔官方网站
骨干由北京清
2023-08-26 13:56:28286 超高速视觉筛选机PCIe实时运动控制卡XPCIE1028
2023-08-22 09:31:24508 IGBT是一项相对成熟的威廉希尔官方网站
。尽管如此,这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia 的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽
2023-08-14 09:34:51326 摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题,设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 倍加福推出新款 VOC工业事件相机 ,再次扩展工业视觉产品系列。该相机可以实现 在触发信号前后长达 60 秒、以事件为驱动的视频记录 ,从而实现针对性的简单远程诊断以及 自动文档记录 。
2023-07-28 14:10:23513 森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 电子发烧友网站提供《PI3EQX7741ST/PI3EQX7742ST源应用程序中的超高速转接驱动器.pdf》资料免费下载
2023-07-25 18:28:360 电子发烧友网站提供《PI3EQX7701超高速USB电源应用.pdf》资料免费下载
2023-07-25 16:03:470 供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304,提供id5s609芯片资料关键参数 ,广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片可替代ir2304,提供ID5S609SEC-R1 关键参数 ,广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104,提供ID7U603SEC-R1关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
除了这些新材料外,绝缘栅双极晶体管(IGBT)这一较老的威廉希尔官方网站
在电力电子领域仍占有重要地位。本周,Nexperia首次进入IGBT市场,推出了一系列新的600 V设备。本文将介绍IGBT、trench-gate设备和Nexperia的新产品系列。
2023-07-18 15:35:53367 RJH60D5BDPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 RJH60M5DPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60M7DPQ-E0 数据表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M6DPQ-E0 数据表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJH60T04DPQ-A1 数据表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020 RJP60V0DPM-80 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJP60V0DPM 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 了 “R60xxVNx系列” (含7款机型)。 此外,高速开关型600V耐压Super Junction MOSFET产品阵容中也新增了导通电阻更低的 “R60xxYNx系列” (含2款机型
2023-07-12 12:10:08437 RJH60A83RDPD-A0 数据表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJH60A81RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310 RJH60A01RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布,将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。 奈梅亨, 2023 年 7 月 5 日: 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布,将凭借600
2023-07-05 09:20:27459 国产芯炽SC7508是一款超高速电流反馈型放大器,压摆率高达5500V/μs,上升时间仅为545ps,因而非常适合用作脉冲放大器。
2023-06-20 14:22:53350 产品线。该器件采用超级结结构,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品,于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 本应用笔记介绍了达拉斯半导体DS89C430和DS89C450超高速微控制器的全新串行端口特性。增加时钟倍频器允许用户选择原始频率四分之一的晶体,以产生相同的波特率并降低EMI。
2023-06-13 16:27:58421 ROHM罗姆确立了一项超高速驱动控制IC威廉希尔官方网站
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可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。
2023-06-06 15:04:07439 亮钻推出新款核心板Y-3566,其采用四核Cortex-A55内核的瑞芯微RK3566处理器,主频可达1.8GHz。邮票孔接口设计,支持8GB大内存,集成最高1Tops AI算力的NPU,为用户提供“嵌入式”+“AI”解决方案平台。
2023-05-17 15:57:27965 RJH60A83RDPD-A0 数据表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A81RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390 RJH60A01RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列,该系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬态抑制(CMTI)和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。
2023-05-10 09:37:18600 中国上海, 2023 年 5 月 9 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列,该系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬态
2023-05-09 14:53:24512 随着轨道列车运行速度的不断提升,现有的列车信号传输系统容易受到外部因素影响,造成信号传输的不稳定和不准确。 为减少超高速行驶环境对列车信号传输的不良影响,TXGA研发生产的混合型D-sub连接器
2023-04-25 10:18:51479 飞创【超高速·长行程】直线电机模组总长9500mm,有效行程9m,宽230mm,高110mm,额定运行速度6m/s,最高运行速度8m/s,负载≤5kg,使用1个动子,水平安装方式。
2023-04-07 11:22:24701 双路超高速大电流外设驱动器
2023-04-06 21:54:46
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2023-04-06 11:45:301042 供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:344 供应ups逆变器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7,是士兰微IGBT代理,提供SGT60N60FD1P7关键参数 ,可应用于光伏,变频器,UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:37:48
供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 供应50A、600V SGTP50V60FD2PU电机逆变器igbt,是士兰微igbt一级代理商,提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:22:26
供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592 供应IGBT 50A 600V 型号SGTP50V60FD2PF-士兰微驱动电机igbt,提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ,可应用于光伏,变频器,UPS,SMPS以及PFC等领域, 更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:14:31
供应SGT30T60SD3PU伺服电机控制igbt 600V、30A规格参数,提供SGT30T60SD3PU关键参数 ,可应用于光伏,变频器,UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:09:042 供应igbt伺服电机驱动管SGT30T60SD3PU 600V、30A,是士兰微IGBT代理商,提供SGT30T60SD3PU关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:07:50
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2023-04-03 16:59:562 供应600v 30a igbt模块直流充电机SGT30T60SD1FD代换IGP15T60F,提供SGT30T60SD1FD代换IGP15T60F关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:15:051 供应IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC电路igbt,提供SGT30T60SD1FD关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 16:13:31
供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应士兰微焊机IGBT单管 驱动SGT20T60SDM1P7 20A、600V参数,提供SGT20T60SDM1P7 关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
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2023-04-03 15:22:02
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2023-04-03 15:05:15
供应5a、600v耐压igbt SGTP5T60SD1DFS可代换AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS规格书参数 ,可应用于光伏,变频器,UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:48:131 供应SGTP5T60SD1D国产 igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1D关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:43:53
RJH60D5BDPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60M5DPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310 RJH60M7DPQ-E0 数据表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60M6DPQ-E0 数据表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070 RJH60T04DPQ-A1 数据表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000 RJP60V0DPM-80 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJP60V0DPM 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35930 超高速接口静电防护
2023-03-28 15:18:27
表面贴装超高速整流器
2023-03-28 12:54:53
表面贴装超高速整流器
2023-03-28 12:54:53
给大家解读超高速电路设计面临的挑战与广义信号完整性(GSI)内涵和走势。
2023-03-27 08:55:331119 超高速1T 8051内核16路双模触控Flash MCU
2023-03-24 13:41:40
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