深圳市萨科微半导体有限公司，威廉希尔官方网站
骨干来自清华大学和韩国延世大学，掌握第三代半导体碳化硅功率器件国际领先的工艺，和第五代超快恢复功率二极管威廉希尔官方网站
。萨科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43
224 绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和电压）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
？
再者在场效应管这种单极性导电半导体中，为什么只是有一种离子导电，而非两种离子，不像晶体管那种两种离子导电，请问这是为什么？同样对于场效应管也有上面的问题？
2024-02-21 21:39:24
MOSFET，全称为Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，也称为功率MOS场效应晶体管。
2024-02-21 16:25:23516 
MOSFET，全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种半导体器件。这种晶体管利用控制输入回路
2024-02-19 16:38:061952 
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被称为半导体三极管或三极管，是一种具有三个终端的电子器件。它由三部分掺杂程度不同的半导体组成，这三部分分别是发射区、基区和集电区。这种晶体管的工作方式涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此被称为双极性的。
2024-02-19 15:15:05290 
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种半导体功率器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶体管是一种三端半导体器件，用于开关或放大信号。其输入端的小电流或电压可用于控制非常高的输出电压或电流。
2024-01-19 10:07:271167 
相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三极管功率会先上升后下降，因为电压降在下降而电流在上升。功率最大点在中间位置。
3、当基射极电流增大到一定水平，集射极电压降低到不能再降的程度时，晶体管进入饱和，此时无论基射极电流如何增大，集射极电流也
2024-01-18 16:34:45
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，也是现代电子设备和电路中最重要的元件之一。它由金属-氧化物-半导体结构组成。
2024-01-17 17:16:44365 IGBT）是一种半导体器件，它将MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点集于一身，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流密度等优点。IGBT广泛应用于电力电子、轨道交通
2024-01-03 15:14:22268 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 晶体管是一种半导体器件，用于放大电信号、开关电路和逻辑运算等。它是现代电子威廉希尔官方网站
和计算机科学的核心之一。在晶体管中，有三个电极：基极、发射极和集电极。这三个电极的电压之间的关系对于理解晶体管的工作原理
2023-12-20 14:50:491193 功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场份额最大，常见的晶体管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指将高压功率器件与其控制电路、外围接口电路及各种保护电路等集成于同一芯片的集成电路，是系统信号处理部分和执行部分的桥梁。
2023-12-18 10:43:09668 
MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽
2023-12-15 15:25:35366 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
该陪审员同意了普度的意见，即电动汽车用充电器及其他产品使用的碳化物金属氧化物半导体电场效果晶体管（mosfet）侵害了高电压电源应用（high power power application）使用的晶体管的专利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二极管、功率晶体管、功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）等。它们主要在电源、变频器、电机驱动等功率电子领域中使用。 集成电路是将大量电子器件（如晶体管、电阻、电容等）集成在单个芯片上，形成一个完整的
2023-12-04 17:00:57682 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 [半导体前端工艺：第一篇] 计算机、晶体管的问世与半导体
2023-11-29 16:24:59193 
功率半导体有多种类型，我们可以使用它们的应用甚至更多。基本上，所有功率半导体器件都可以分为三类：二极管、晶闸管和晶体管。
2023-11-27 13:24:26239 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-11-24 15:51:59682 
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
在电力电子领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是两种关键的功率半导体器件。它们的独特特性使它们在高效能和高频率应用中非常重要。本文将探讨IGBT和MOSFET的工作原理、封装威廉希尔官方网站
及其广泛的应用。
2023-11-15 14:12:32176 
据悉，汇芯半导体成立于2020年，是一家专注于功率芯片及模块开发和生产的企业，其主要产品包括高压集成电路（HVIC）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、功率场效应晶体管（PowerMOS）、微控制单元（MCU）、传感器（Sensor）及其集成化。
2023-11-09 14:41:48470 MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金属-氧化物半导体场效应晶体管的英文缩写，由多数载流子参与导电，也称为单极
2023-11-07 14:51:15638 
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率电子器件中，各有强项和弱点，本文着重阐述四种晶体管的优点和缺点。 一、 GTO
2023-10-19 17:01:256156 STM32H725ZGT6，ST/意法半导体，Arm®Cortex®-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB闪存，564 KB，RAM、以太网、USB、3个FD-CAN、图形、2个16位
2023-10-16 15:52:51
根据专利摘要，该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
电源设计者只要熟悉双极型晶体管的设计，掌握关于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快学会使用MOSFET管进行电路设计。对电路设计者来说,决定MOSFET管特性的制造材料和固态物理结构并不太重要,这里
2023-09-28 06:33:09
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。
2023-09-27 10:59:402306 
参数参数名称属性值Brand NameSTMicroelectronics厂商名称ST(意法半导体)零件包装代码SFM包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数3Reach
2023-09-26 21:23:46
介绍：
晶体管是一种用于放大或切换电子信号和电力的半导体器件。它是一种三端口半导体器件，这些引脚分别标记为集电极（C）、基极（B）和发射极（E）。现在，我将展示如何使用万用表检查晶体管。
2023-09-21 13:48:18832 
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰会简介第五届意法半导体工业峰会即将启程，现我们敬邀您莅临现场，直击智能热点，共享前沿资讯，通过意法半导体核心威廉希尔官方网站
，推动加快可持续发展计划，实现突破性创新~报名链接：https
2023-09-11 15:43:36
开关频率的PFC• SLLIMM* IPM逆变器电源• MDmesh M2超结功率MOSFET• 意法半导体Turbo 2超快高压整流器• VIPER31辅助电源
2023-09-08 06:59:33
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 25年来，威廉希尔官方网站
创新一直是意法半导体公司的战略核心，这也是意法半导体当前能够为电力和能源管理领域提供广泛尖端产品的原因。意法半导体的产品组合包括高效率的电源威廉希尔官方网站
，如：• 碳化硅功率分立器件• 高压
2023-09-07 07:36:32
绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291490 
本应用笔记为将意法半导体环境传感器 （气压、湿度、紫外线传感器）成功集成到Linux/Android 操作系统提供指南。
2023-09-05 06:08:58
稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
晶体管是一种半导体元器件，它由三个层叠在一起的材料构成，分别是 P 型半导体、N 型半导体和 P 型半导体。其中 NPN 和 PNP 型晶体管是最常用的两种。晶体管有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
2023-08-25 17:17:47651 晶闸管和晶体管区别是什么？ 晶闸管和晶体管都属于半导体器件的范畴，它们的出现都彻底改变了电子行业的发展。但是，晶闸管和晶体管之间存在着一些关键的区别，这些区别在分析它们的工作原理、特点、应用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶体管的工作原理介绍 晶体管是一种电子器件，它是现代电子设备的基础，如计算机、手机、电视等。晶体管是一个半导体器件，它可以放大或开关电流信号。晶体管的工作原理是由三个不同类型的材料组成：N型半导体
2023-08-25 15:35:141791 晶体管和芯片的关系介绍 晶体管和芯片是现代电子威廉希尔官方网站
中最重要的两个概念，二者有密不可分的关系。晶体管是一种半导体材料制造的电子器件，而芯片则是晶体管等电子器件及相关电路的集成体。 一、晶体管 晶体管
2023-08-25 15:29:372440 、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:32699 
的制造商生产半导体（晶体管是该设备家族的成员），因此有数千种不同的类型。有低功率、中功率和高功率晶体管，用于高频和低频工作，用于非常高电流和/或高电压工作。本文概述了什么是晶体管、不同类型的晶体管
2023-08-02 12:26:53
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管。
2023-07-21 16:13:21480 
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:241285 
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591 
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。MOSFET体积越小，单个 MOSFET的耗电量就越少，还可以制造出更多的晶体管，让其发挥作用，可谓是一举多得。
2023-06-13 12:29:09596 
和设计师的首选。本文将深入探讨RX65T125HS1B功率晶体管的工作原理，并介绍其在不同应用领域中的突出应用。 一、RX65T125HS1B功率晶体管的工作原理 功率晶体管简介： 功率晶体管是一种用于控制和放大电力信号的半导体器件。与传统的小信号晶体管相比
2023-06-12 16:48:161016 功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
） 7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金属氧化物半导体场效应晶体管） 8. Complementary MOSFET (CMOS)（互补MOSFET）
2023-06-02 14:15:36937 晶体管是什么控制型器件 晶体管属于电流控制电流控制型器件。 晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种
2023-05-30 15:32:362177 我正在寻找摩托罗拉收音机 VHF 射频末级中使用的这些旧射频晶体管的数据表，有人可以帮我吗？
2023-05-30 07:40:02
MOSFET是金属－氧化物－半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
Nexperia | 为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）用于许多不同类型的电源应用，包括可再生能源、航空航天、汽车和运输、测试和测量以及电信。在设计阶段，这些广泛使用的功率晶体管
2023-05-24 11:25:281214 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种场效应晶体管，这意味着它通过使用电场来控制电流。MOSFET 通常有三个端子：栅极、漏极和源极。漏极和源极之间传导的电流通过施加到栅极的电压进行控制
2023-05-24 11:19:06720 栅型场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12583 
按照器件结构，分为二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10:022967 
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
DU2860U 射频功率 MOSFET 晶体管 60W，2-175MHz，28V 射频功率 MOSFET 晶体管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
DU2840S 射频功率 MOSFET 晶体管 40W，2-175MHz，28V 射频功率 MOSFET 晶体管
2023-03-30 18:07:32
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
电子发烧友App
工商网监
评论