英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29
117 功率MOSFET是一种在电源管理、信号处理、汽车电子和可再生能源系统等多种应用中广泛使用的高效半导体开关器件。
2024-03-19 16:34:35163 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体威廉希尔官方网站
领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的威廉希尔官方网站
实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
MOSFET，全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种半导体器件。这种晶体管利用控制输入回路
2024-02-19 16:38:061952 
MOSFET功率放大器是一种使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）威廉希尔官方网站
的电子设备，用于增强输入信号的幅度。MOSFET放大器是音频源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和扬声器等其他设备的重要组成部分。
2024-02-19 15:50:56476 
桩中决定充电效率和能量转化的关键元件是IGBT和MOSFET。在各类半导体功率器件中，未来增长最强劲的产品将是MOSFET与IGBT模块。MOSFET和IGBT区别以
2024-02-19 12:28:04191 
的基本结构。MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的简称。它由一个绝缘层上方的金属接电
2024-01-31 13:39:45300 安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的威廉希尔官方网站
和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。
2024-01-20 17:54:00916 
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，也是现代电子设备和电路中最重要的元件之一。它由金属-氧化物-半导体结构组成。
2024-01-17 17:16:44365 电子发烧友网站提供《FP6151内置内部功率MOSFET产品手册》资料免费下载
2024-01-15 14:47:23
0 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS 7 MOSFET 威廉希尔官方网站
。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。
2023-12-29 12:30:49362 
迁移率晶体管）。为什么同是第三代半导体材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？为什么没有GaN MOSFET产品？下面我们来简单分析一下。 GaN 和SiC 功率器件的衬底材料区别 首先我们从衬底材料来看看SiC和GaN功率器件的区别，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361219 可行的解决方案。 首先，让我们了解一下SIC MOSFET的基本原理和结构。SIC（碳化硅）MOSFET是一种基于碳化硅材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管。相较于传统的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的载流能力、更低的导通电阻和更优秀的耐高温性能，可以应用于高频、高功率和高温环境
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽
2023-12-15 15:25:35366 11 月 28 日，安世半导体 BG MOS 产品线高级应用经理方舟先生，为广大工程师带来了《Nexperia车规级 MOSFET - 提升 EV 驱动能效的绝佳选择》的网络研讨会，重点介绍了安世半导体最新车规级 MOSFET 产品，及其在新能源汽车车身和底盘中的应用。
2023-12-15 10:35:31417 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:11519 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40408 
官方网站称，2015年6月成立的钜芯科技是从事半导体输出芯片和零部件研发，生产，销售的高新威廉希尔官方网站
企业。产品包括半导体分立元件芯片、半导体分立元件、半导体功率模块及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571 2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451 功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的区别 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种现代电子器件，常用于电子电路中的开关和放大器。它的工作原理与JFET（结型场效应晶体管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 MOSFET 的选择关乎效率，设计人员需要在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 关闭期间，由于电流流过导通电阻而造成；开关损耗则发生在MOSFET 开关期间，因为 MOSFET 没有即时开关而产生。这些都是由 MOSFET 内半导体结构的电容行为引起的。
2023-11-15 16:12:33167 
MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金属-氧化物半导体场效应晶体管的英文缩写，由多数载流子参与导电，也称为单极
2023-11-07 14:51:15638 
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
国产新风尚！WAYON维安针对PC及PC电源推出MOSFET细分产品
2023-11-01 15:10:01231 
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论威廉希尔官方网站
文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 能。❖功率半导体芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，传统Si基和新兴的第三代半导体SiC等，它们的特性受制于其本身的设计，同时也需要看于其搭配的封装材料和
2023-10-24 09:45:033032 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS威廉希尔官方网站
。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅威廉希尔官方网站
、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET威廉希尔官方网站
的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽
2023-10-12 17:15:09736 400kHz。同时也使得开关电源的体积变得更小，由此产生了大量使用小型电源的新产品。个人计算机的不断小型化就是一个典型的例子。
开关电源工作频率的不断提高促使电子元件工业发生了广泛的变革。半导体工业首当其冲
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 
降低MOSFET 1/f噪声的三种办法是什么？ MOSFET是一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。然而，MOSFET存在着一种非常特殊的噪声，即1/f噪声。这种噪声影响了MOSFET
2023-09-17 17:17:361208 SJ MOSFET是一种先进的高压威廉希尔官方网站
功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压威廉希尔官方网站
功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 闪烁噪声，也称为1/f噪声，是由于导体接触点电导的随机涨落引起的。在低频区域，这种噪声功率谱密度与频率成反比，因此，它对电路的影响可能更加显著。
在RF振荡器中，闪烁噪声尤其可能占主导地位。这可
2023-09-01 16:59:12
功率半导体自20世纪50年代开始发展起来，至今形成以二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等为代表的多世代产品体系。新威廉希尔官方网站
、新产品的诞生拓宽了原有产品和威廉希尔官方网站
的应用范围，适应更多终端产品的需求，MOSFET同样衍生出GaN，SiC新型材料的产品去覆盖更高功率密度、更高电压、以及高开关速度的应用场景。
2023-08-31 14:14:071044 
和管理者。今年，Nexperia（安世半导体）的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体！ 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140 功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
2023-08-17 09:16:301287 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的威廉希尔官方网站
也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
MOSFET，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的电子器件。它是一种半导体器件
2023-08-04 15:24:152047 功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管。
2023-07-21 16:13:21480 
及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37975 
，需要更多的制造测试能力。除了成熟的半导体ATE供应商之外，许多公司正在开发产品以满足功率MOSFET测试需求。
2023-06-30 11:26:16878 
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:32562 （VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591 
广，不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区，都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的威廉希尔官方网站
积累，研发出同类别性能优异的超级结MOSFET，具备更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体)，分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 威廉希尔官方网站
实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
SSR 或固态继电器是高功率电气开关，无需机械触点即可工作，而是使用 MOSFET 等固态半导体来切换电气负载。
2023-06-03 15:44:112542 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 ） 7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金属氧化物半导体场效应晶体管） 8. Complementary MOSFET (CMOS)（互补MOSFET）
2023-06-02 14:15:36937 Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种场效应晶体管，这意味着它通过使用电场来控制电流。MOSFET 通常有三个端子：栅极、漏极和源极。漏极和源极之间传导的电流通过施加到栅极的电压进行控制
2023-05-24 11:19:06720 分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446 
近日罗姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET产品（40V/60V/80V/100V/150V），备受各个厂家的青睐。本文将为各位工程师呈现该系列产品
2023-05-17 13:35:02471 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码：全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 评估，以改善动态特性和可靠性，并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是一种场效应晶体管 (FET) 电子器件。它可以充当压控电流源，并主要用作开关或用于放大电信号。MOSFET的控制是通过向栅极施加特定的电压来进行
2023-04-06 10:06:381381 KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺威廉希尔官方网站
来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39987 
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