荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器，该系列驱动器基于电容隔离威廉希尔官方网站
，集成了多种保护功能，专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出，标志着荣湃半导体在功率半导体领域的威廉希尔官方网站
创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
电荷耦合器件 (Charge Coupled Device,CCD）是一种半导体器件，它的基本单元是 MOS 电容器，器件中的所有基本单元电容器依次排列。
2024-02-20 17:30:20205 光耦合器、光分束器、光分波器的区别？ 光耦合器、光分束器和光分波器是光学器件中常用的三种器件，它们在光学通信、光学测量等领域具有重要的应用。尽管它们的名称相似，但是它们的功能和工作原理有所区别。本文
2024-02-20 14:22:22186 光纤耦合器分单模和多模吗 光纤分路器和光纤耦合器有何不同 光纤耦合器分单模和多模，具体来说，光纤耦合器是一种用于实现光纤之间的光信号耦合的光学元件。它可以将来自多个输入光纤的光信号耦合到一个或多个
2024-02-20 14:11:06194 IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系？ IGBT是一种集成了晶体管和MOSFET威廉希尔官方网站
的功率电子器件。它的主要功能是将低电平信号转换为高电压、高电流能力的输出信号。在工业控制和电源
2024-02-20 11:00:57204 引言：EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场！EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件，它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电
2024-02-19 12:28:04191 
目前的光电耦合器产品包括：晶体管输出光耦、光电继电器、可控硅输出光耦、高速光耦、达林顿、 IGBT驱动光耦等产品， 产品广泛应用于智能家居、移动互联、智能仪表、智能汽车、医疗设备
2024-01-30 17:39:01
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2024-01-30 17:29:18
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2024-01-30 15:34:58
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2024-01-30 15:30:38
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2024-01-29 18:07:22
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2024-01-29 17:16:02
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2024-01-29 17:09:04
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2024-01-29 16:24:57
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2024-01-29 14:53:06
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2024-01-29 14:41:33
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2024-01-29 14:35:47
光耦合器的工作模式 选购光耦合器注意事项 光耦合器是一种将电信号转换为光信号，或将光信号转换为电信号的器件。它在光通信、光传感、光电子设备等领域广泛应用。光耦合器的工作模式有多种，并且在选购时有
2024-01-23 15:29:00131 IGBT驱动电路工作原理： IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种特殊的双极晶体管，结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和普通双极晶体管的优点。它在高电压和高电流应用中具有
2024-01-23 13:44:51674 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，结合了绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）的特点。IGBT被广泛应用于电力
2024-01-22 11:14:57269 由于IGBT高电压、大电流和高频特性，IGBT需要一个专门的驱动电路来控制其开通和关断。本文将介绍IGBT驱动电路。 一、IGBT驱动电路的作用 IGBT驱动电路的主要作用是向IGBT提供适当的栅极
2024-01-17 13:56:55552 
IGBT是一种高性能功率半导体器件，常用于驱动大功率负载的电路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）两个器件构成。它结合
2024-01-12 14:43:521672 本文深入探讨了光耦合器的主要参数，并指导您选择理想的高速光耦合器。
2024-01-05 16:07:49149 
耦合器是一种用于将电路中的信号进行耦合或解耦的器件。在电路中，耦合器通常用于将信号从一个电路传输到另一个电路，或者从一个电路中提取信号。它也可以用于将一路微波功率按比例分成几路，实现功率分配。常见
2023-12-23 16:15:191123 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
、详实、细致的比较分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率电子领域的半导体器件。它们的主要区别在于结构和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一种由金属氧化物绝缘体（MOS）构成的双极性晶体管。它由源极、漏极和栅极组成。在MOSFET中，源极和漏极之间的电流由栅极的电压控制
2023-12-15 15:25:35366 电子发烧友网站提供《高CMR、高速TTL兼容光电耦合器应用介绍.pdf》资料免费下载
2023-12-14 10:46:46
0 一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动
2023-12-13 16:36:19131 
圣邦微电子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 输入电压的单通道高速低侧栅极驱动器。 该系列器件被广泛应用于 DC/DC 转换器、太阳能和电机驱动器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。
（二）光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生
2023-12-12 19:41:38
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
2023-11-30 18:02:38294 
20dB、±1.0dB标称耦合（相较于输出）和±0.5的频率敏感度。195020定向耦合器的插入损耗（包括耦合功率）低于1.5dB，方向性超过10dB，最高VSWR（任意端口）为1.80，额定输入功率
2023-11-30 11:17:44
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-11-24 15:51:59682 
深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
2023-11-24 14:48:25217 
电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高性能的开关驱动系统 。 目前，宽带隙半导体
2023-11-17 18:45:01326 
本应用报告旨在展示一种为高速开关应用设计的高性能栅极驱动电路 应用非常重要。这是一个内容详实的主题集，可为您提供解决最常见设计难题的“一站式服务”。因此，它可为具有不同经验的电子产品工程师提供强大
2023-11-17 16:56:163 定向耦合器的耦合度和耦合损耗之间存在一定的关系。耦合度是指定向耦合器中从一个输入端口到另一个输出端口的能量传输比例，通常以分贝（dB）为单位表示。耦合损耗是指在能量传输过程中由于耦合器的结构和材料等因素引起的能量损失，通常以分贝（dB）为单位表示。
2023-10-27 11:14:54401 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622
l 华润微
成立时间：1997年
业务模式：IDM
简介：中国最大的功率器件企业之一，主要产品包括以MOSFET、IGBT 为代表的功率半导体产品和以光电传感器、烟报传感器、MEMS 传感器为主
2023-10-16 11:00:14
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 光耦也叫光电耦合器，是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。光耦由发光源和受光器两部分组成，密闭于同一壳体内，彼此用透明绝缘体隔离。 东芝扩展了智能栅极
2023-09-28 17:40:02526 
光耦合器：
光耦合器、光电耦合器或光隔离器是一种利用光在两个隔离电路之间传输电信号的元件。光隔离器可防止高电压影响接收信号的系统。光耦合器有四种常见类型，每种类型都具有红外 LED 光源，但具有不同的光敏器件。这四种光耦合器分别称为：光电晶体管、光电达林顿、光电SCR 和光电双向可控硅，如下所示。
2023-09-25 15:31:23817 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 和低压功率MOSFET与 IGBT • 定制的电源模块• 二极管和晶闸管 • 保护器件和滤波器• AC-DC转换器和控制器 • DC/DC转换器 • 线性电压稳压器 • 模拟集成电路 • 电池管理IC • 数字控制器• STM32微控制器 • MOSFET和IGBT栅极驱动器 非常好的资料
2023-09-07 07:36:32
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离威廉希尔官方网站
，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件
2023-09-05 06:59:59
。在IGBT中，P型区和N型区被分别放置在一个PNPN结构中，然后通过MOSFET的栅极进行控制。MOSFET是由金属氧化物半导体场效应管构成的，MOSFET的栅极由氧化物隔离。 2. 开关速度 MOSFET的开关速
2023-08-25 14:50:013217 定向耦合器是射频电路设计中常用的一种射频无源器件，它将线路中传输的射频功率耦合到另一个线路里。定向耦合器的基本特征是它只将信号耦合到指定的方向。
2023-08-23 14:05:091818 
MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
耦合器是利用微波传输中的耦合原理对主线路信号 进行采样，高隔离度，高定向性，低插损等优势的 电性能使其能满足耦合检测及末级放大器耦合等应 用的严格要求。
产品特点：
•采用半导体工艺威廉希尔官方网站
生产，图形
2023-08-03 10:47:41
新品6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
近年来萨科微半导体发展神速，在掌握第三代半导体碳化硅功率器件威廉希尔官方网站
的基础上，萨科微slkor投入大量精力和资金，推出了IGBT和电源管理芯片等系列高端产品。萨科微副总经理贺俊驹介绍，在功率器件应用市场
2023-07-31 11:14:43404 
介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特
2023-07-18 19:05:01462 
宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。单个通道能够提供高达4A拉电流和4A灌电流的轨到轨驱
2023-07-18 09:01:27330 
IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。
2023-07-14 14:54:071579 
聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体设计公司——思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔离栅极驱动——TPM2351x系列, 因其突出的产品优势，可广泛应用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驱动中。
2023-07-14 10:52:54453 
PT5619 在 同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器 ，特别适合于 三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动 。
2023-07-11 16:12:24434 
TF2136M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2136M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF2011M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2011的高侧能够
2023-06-29 10:58:25
TF21064M是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21064M的高侧能够在引导操作中切换到600V
2023-06-29 10:14:02
TF21814是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2181M的高侧在
2023-06-29 09:10:24
TFB0527是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-27 17:01:42
TF2003M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2003M高侧切换到250V的引导操作
2023-06-27 16:35:30
为满足汽车市场对产品可靠性和安全性的需求，数明半导体近期推出车规级高压、高速MOSFET/IGBT驱动芯片SiLM21814-AQ，该产品通过AEC-Q100认证。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF21844M是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21844M的高侧能够在引导操作中切换到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2103M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2103M高侧切换到600V的引导操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使TF2184的高侧能够在引导
2023-06-25 16:25:20
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
点击蓝字 关注我们 IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件
2023-06-21 19:15:01398 
定向耦合器您听说过吗?什么是定向耦合器?这是目前咨询比较多的一个问题，为了帮助大家更好的选择，科兰通讯小编为大家介绍一下定向耦合器。 什么是定向耦合器? 定向耦合器是微波系统中应用广泛的一种微波器件
2023-06-16 09:52:47695 
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制
2023-06-14 20:15:012111 
电源是电子设备的基础，其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器芯片的低功率输入，并为高功率晶体管（例如IGBT或功率MOSFET）的栅极产生高电流驱动
2023-06-08 14:03:09362 一路微波功率按比例分成几路，这就是功率分配问题。实现这一功能的元件称为功率分配元器件即耦合器，主要包括: 定向耦合器、功率分配器以及各种微波分支器件。这些元器件一般都是线性多端口互易网络。在机械中，将驱动设备和被
2023-06-05 11:39:46354 
本参考设计采用 Flybuck 变换器为 IGBT 栅极驱动器提供正负电压轨。Flybuck 变换器可等效于降压变换器和类似反激变换器二次侧的组合，采用同步 Buck 芯片实现电路控制，并使用变压器
2023-05-25 09:40:533958 
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446 
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
芯洲的SCT51240是一款宽供电电压、单通道、高速、低测栅极驱动器，适用于功率MOSFET，IGBT和宽禁带器件，例如氮化镓功率器件等驱动。 提供高达4A驱动拉电流和灌电流，并实现轨到轨输出
2023-05-05 09:00:14209 输出光电耦合器的最基
本电路。在该电路中由于输出元件的功率MOSFET是电压驱动型元件，因此利用光电二极管阵列(P.D.A)所供给的电压使栅极容
量充电，致使栅极电压上升至接通电压（阈值），从而使MOSFET输出光电耦合器动作。
2023-04-26 11:06:352 您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
，工程师们需要选用合适的栅极驱动器，提高UPS的转换效率和响应速度，以满足不断增长的UPS市场需求。高速低侧栅极驱动器是一种电路，用于控制半导体开关（例如MOSFET或IGBT）的导通和断开，从而实现对电路的控制和调节。正确选择高速低侧栅极驱动器
2023-04-11 12:39:14279 
基极电，使IGBT关断。 由图2可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通; 若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
2023-04-08 09:36:261454 本文介绍了光耦合器反馈驱动威廉希尔官方网站
2023-04-07 15:23:59797 
前面我们也聊到过IGBT的栅极驱动设计，虽然今天聊的可能有些重复，但是感觉人到中年，最讨厌的就是记忆力不够用，就当回顾和加重记忆吧。
2023-04-06 17:38:291595 
半导体器件是现代电力电子系统的核心。这些系统利用许多门控半导体器件，如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源（SMPS）、通用电源（UPS）和电机驱动器中的开关元件。电力电子的现代威廉希尔官方网站
发展通常跟随功率半导体器件的发展。
2023-04-04 10:23:45546 萨科微slkor半导体威廉希尔官方网站
总监、清华大学李健雄介绍说，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型晶体管)和 MOSFET
2023-04-03 16:29:25521 
光耦合器用于各种应用，包括光通信（如光纤）和存储设备。该威廉希尔官方网站
已经存在了30年，并且随着数码相机和其他电子元件的出现而得到更广泛的应用。光耦合器是半导体二极管器件的一个例子，主要由光耦合器和LED组成。
2023-03-31 17:28:28998 电机用于电梯、食品加工设备、工厂自动化、机器人、起重机……这样的例子不胜枚举。交流感应电机在这种应用中很常见，且总是通过用于电源级的绝缘栅双极晶体管（IGBT）来实现驱动。典型的总线电压为200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用电子换向，以实现交流感应电机所需的正弦电流。
2023-03-31 09:40:45369 带 IGBT 栅极驱动器的光耦合器
2023-03-24 15:09:07
IGBT模块作为汽车电驱系统最常昂贵的开关元件。IGBT同时具有功率MOSFET导通功率小及开关速度快的性能，以及双极型晶体管饱和压降低（导通电阻小）高电压和大电流处理能力的半导体元件
2023-03-23 16:01:54
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