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受惠晶片,三星电子Q3业绩创新高,计划明年继续扩产DRAM

崔灏然 2017年10月31日 15:49 次阅读

  明年的DRAM市场将会迎来一场局变,因前段时间的存储晶片价格上涨,三星电子在第三季度的净利润再创新高,所以三星计划明年将会继续扩大DRAM的产能,此举有望改变明年DRAM供给紧俏的格局。

  三星电子日前发布第三季度财报,数据显示,受惠于晶片事业,三星电子第三季营收62兆韩元,年增29.8%,营业盈利较去年同期增长近2倍、净利增长逾1倍,再创新高。市场调查机构预测,三星有可能扩大明年的DRAM产出,有望改变明年DRAM供给紧俏的格局。

  受惠晶片,三星电子Q3净利创新高

  受惠于强劲的晶片事业,三星电子第三季营业盈利较去年同期增长近2倍、净利增长逾1倍,再创新高。三星并宣布,在2018至2020年期间,将发放股利共约29兆韩元。

  三星电子公布,第三季营收年增29.8%,为62兆韩元,符合本月初公布的初估值。营业盈利为14.53兆韩元,较去年同期的5.2兆韩元大幅增长近2倍,符合先前公布的初估值。净利为11.1兆韩元,较去年同期的4.53兆韩元增长逾1倍。

  第三季晶片部门营业盈利为10兆韩元,较去年同期的3.4兆韩元增长近2倍,创历史新高。移动事业第三季营业盈利为3.3兆韩元,相较去年同期的1000亿韩元。

  三星表示,存储晶片需求仍将稳健、供应仍然紧俏。软性(flexibe)OLED面板出货增长,以及推出新的硬式(rigid)OLED面板将增进业绩表现。零组件事业仍将是2018年的增长引擎。存储市场的景气依然看好,2018年DRAM市场仍将呈现正增长。第四季年终旺季的智慧手机和平板电脑的需求都可望增长。今年总资本支出估算为46.2兆韩元,其中,半导体事业资本支出预估为29.5兆韩元,显示器面板事业资本支出估为14.1兆韩元。

  三星并宣布将回购1.9兆韩元自家普通股,并勾销2.3兆韩元的自家股票,第三季股利为每股7000韩元,2018至2020年期间将发放股利共约29兆韩元。2018年的股东回报将较今年提高100%。

  考虑明年扩大DRAM产能

  市场调查机构集邦科技发出预警,指出三星有可能扩大明年的DRAM产出,将其明年位元产出供给量由原本预估的18%成长上升至23%,此举有望改变明年DRAM供给紧俏的格局。

  由于DRAM厂近两年来产能扩张幅度有限,加上制程转换的难度,DRAM供给成长明显较往年放缓,配合著下半年终端市场消费旺季的推波助澜,DRAM合约价自2016年中开启涨价序幕。然而,三星传出在考虑提高竞争者进入门槛下,可能将扩大DRAM产能,恐将改变DRAM供给紧俏格局。

  集邦指出,以主流标准型存储模组(DDR4 4GB)合约价为例,从去年中开始起涨,由当时的DDR4 4GB 13美元均价拉升至今年第四季合约价30.5美元,报价连续六个季度向上,合计涨幅超过130%,带动相关DRAM大厂获利能力大幅提升。截至目前为止,三星第二季度DRAM事业营业盈利率来到59%,SK海力士也有54%的表现,美光亦达44%。展望第四季,DRAM合约价持续上涨,各家厂商的获利能力亦可望继续攀升。

  正因DRAM产业已进入寡占格局,理论上厂商对于高获利的运作模式是乐观其成。然而,在连续数季存储价格上升的带动下,SK海力士、美光皆累积许多在手现金。有了丰沛的资源,SK海力士将在年底进行18奈米制程转进,无锡二厂也将在明年兴建,预计2019年产出;美光藉著股价水涨船高之际宣布现金增资,代表未来在盖新厂、扩张产能与制程升级上预做准备,此举无疑激起三星的警戒心,使得三星开始思索DRAM扩产计画。

  三星可能採取的扩产动作,除了是因应供给吃紧状况,最重要的是藉由提高DRAM产出量,压抑存储价格上涨幅度。虽然短期内的高资本支出将带来折旧费用的提升,并导致获利能力下滑,但三星著眼的是长期的产业布局与保有其在DRAM市场的领先地位,以及与其他DRAM大厂维持1-2年以上的威廉希尔官方网站 差距。此外,明年堪称中国存储发展的元年,三星透过压低DRAM或是NAND的价格,将能提升中国竞争者的进入门槛,并使竞争对手亏损扩大、增加发展难度并减缓其开发速度。

  集邦指出,三星有意将其平泽厂二楼原定兴建NAND的产线,部分转往生产DRAM,并全数採用18奈米制程,加上原有Line17还有部分空间可以扩产,预计三星此举最多将2018年DRAM产出量8万片到10万片,也代表三星的DRAM产能可能由2017年底的39万片一口气逼近至50万片的水准,亦将带动三星明年位元产出供给量由原本预估的18%成长上升至23%。

  从整体DRAM供给来看,2018年供给年成长率将来到22.5%,高于今年的19.5%,亦即明年DRAM供需缺口将可能被弥平,预期SK海力士与美光将加入军备竞赛以巩固市占可能性高,为DRAM市场增添新的变数。

  然而,集邦认为,三星此举将可能改变DRAM市场供给紧俏格局,只是修正目前竞争对手的超额利润,降为较合理获利结构;再者,随著大厂将部分投资重心由NAND Flash转往DRAM,将可望降低明年NAND Flash供过于求的情形,并进而减缓整体NAND Flash平均售价(average selling price)下滑的速度。三星扩厂或许对2018年DRAM市场将带来部分衝击,但就整体存储产业的长期发展来看,未必是负面讯息。

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