今年硅基氮化镓(GaN-on-Si)基板市场发展急冻。去年5月底,普瑞光电(Bridgelux)与东芝(Toshiba)风光宣布,共同成功开发出基于8吋GaN-on-Si基板威廉希尔官方网站
的发光二极体(LED
2013-06-21 09:18:321888 GaN-on-Si威廉希尔官方网站
可用来降低LED及功率元件的成本,将有助固态照明、电源供应器,甚至是太阳能板及电动车的发展.
2013-09-12 09:33:291401 市场调查公司Yole Developpement(以下简称Yole)认为,市场规模方面,2020年GaN器件市场整体规模有可能达到约6亿美元。从(2020年将支配市场的)电源和PFC(功率因数校正)领域,到UPS(不间断电源)和马达驱动,很多应用领域都将从GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 在过去几年中,氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体威廉希尔官方网站
中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比,氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体,具有更快的开关速度、更高的击穿强度和高导热性。
2022-07-29 10:52:00991 高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品的领先供应商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010宽带功率放大器模块,扩展了硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率放大器产品组合。
2019-01-30 13:50:576526 基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 对比GaN FET:新的集成系统大型数据中心、企业服务器和通信交换中心会消耗大量电能。在这些电源系统中,FET通常与栅极驱动器分开封装,因为它们使用不同的工艺威廉希尔官方网站
,并且最终会产生额外的寄生电感。除了导致较大的形状尺寸外,这还可能限制GaN在高压摆率下的开关性能…
2022-11-07 06:26:02
,几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而,近年来,这些已取得的进步开始逐渐弱化,为下一个突破性威廉希尔官方网站
创造了空间和需求。这就是氮化镓(GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09
半导体材料可实现比硅基表亲更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,这些功能使得在各种电源应用中减少重量,体积和生命周期成本成为可能。 Si,SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
领域的热点。
如图1所示,GaN材料作为第三代半导体材料的核心威廉希尔官方网站
之一,具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由GaN材料制成的GaN器件具有击穿电压高、开关速度快、寄生参数低等优良特性
2023-06-25 15:59:21
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了。这也意味着GaN已经是一项成熟的、不应再受到质疑的威廉希尔官方网站
。对此,我不想妄加评论,由你自己去辨别事情的真伪。那么,我提到的“GaN已经为数字电源控制做好准备”到底是什么意思呢?验证这一点的方法就是
2018-09-06 15:31:50
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅威廉希尔官方网站
而言,GaN这一材料威廉希尔官方网站
,大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值,表征高频器件的材料适合性优值, 硅威廉希尔官方网站
的约翰逊优值仅为1, GaN最高,为324。而GaAs,约翰逊优值为1.44。肯定地说,GaN是高频器件材料威廉希尔官方网站
上的突破。
2019-06-26 06:14:34
基带协议引擎. 收发数据硬件中断输出. 极少外围器件,降低系统应用成本. 支持频率补偿机制以使用低成本低精度晶振. 联系人:汪磊 销售工程师公司电话86-755-82543272转849 q q
2012-10-15 17:25:14
的空间也在不断缩小,但随之而来的续航问题也成为了手机厂商的一大烦恼。在目前电池威廉希尔官方网站
并未获得突破性进展的前提之下,要想增加续航,直接增加电池容量是最为简单有效的方法。那么如何解决手机内部空间与电池容量
2020-09-02 17:15:47
突破工艺对器件最小尺寸的限制
2021-01-06 06:30:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑
导热基板散热是LED灯散热威廉希尔官方网站
的重要部分,随着LED灯照明的普及,LED灯的功率也越来越大,散热要求变得更加迫切。更高的导热性
2012-07-31 13:54:15
用于无线基础设施的半导体威廉希尔官方网站
正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线
2017-08-30 10:51:37
频率:3 GHzTheta J-C:5.3 C / W最高频率:4,000 MHz最低频率:0 MHzNPTB00025B 产品详情MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si威廉希尔官方网站
提供商。我们提供
2019-11-01 10:46:19
原因: ⑴经纬方向差异造成基板尺寸变化;由于剪切时,未注意纤维方向,造成剪切应力残留在基板内,一旦释放,直接影响基板尺寸的收缩。 ⑵基板表面铜箔部分被蚀刻掉对基板的变化限制,当应力消除时产生
2018-08-29 09:55:14
描述该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381(对于硅电源)和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
在德州仪器不断推出的“威廉希尔官方网站
前沿”系列博客中,一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的威廉希尔官方网站
趋势以及如何应对未来挑战等问题。 相较于以往使用的硅晶体管,氮化镓 (GaN) 可以让全新的电源应用在同等的电压
2018-09-11 14:04:25
GaN威廉希尔官方网站
融入到电源解决方案中,从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识,TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试,并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN 基板的表面处理编号:JFSJ-21-077作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html关键词: GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
,GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力,这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板,因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。第一个具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
功率密度射频应用合并选择的原因所在。如今,GaN-on-SiC 基板的直径可达6 英寸。GaN-on-Si 合并的热学性能则低得多,并且具有较高的射频损耗,但成本也低很多。这就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24:28
晶体管通道完全闭合;二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与威廉希尔官方网站
联盟,正在先行研发一种有前景的替代材料:GaN。从光学角度看,GaN的带隙为
2020-11-27 16:30:52
我最近访问了德州仪器(TI)的先进威廉希尔官方网站
战略和营销,宽带隙解决方案的Masoud Beheshti,以及应用工程师Lixing Fu进行了演示,该演示演示了TI声称是业界最小的纳秒级GaN驱动器
2019-11-11 15:48:09
驱动许多威廉希尔官方网站
进步。图1: 迈向5G 之路谈及新兴的mmW 标准时,GaN 较之现在的威廉希尔官方网站
具有明显的优势。GaN 能够提供更高的功率密度,具有多种优点:· 尺寸减小· 功耗降低· 系统效率提高我们已经
2017-07-28 19:38:38
电阻而言,采用高热导率基板可以实现相同尺寸下更大的额定功率。 热膨胀系数对于不同元件,对热膨胀系数要求不同。对于半导体芯片,要求基板的热膨胀系数与Si越接近越好,因此可以大大降低大规模集成电路运行-停止
2019-04-25 14:32:38
常见的好像都有常用晶振封装尺寸.pdf (4.07 MB )
2019-07-25 01:19:54
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造威廉希尔官方网站
2021-04-12 06:23:23
氮化镓威廉希尔官方网站
非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN威廉希尔官方网站
还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15
尽可能多天线以达到目标容量,而将GaN-on-Si器件威廉希尔官方网站
与模块驱动设计相结合,便能够设计并部署更小、更轻的产品。”显然,GaN的使用的确会带来许多优势,如集成度更高、高功率密度、低功耗及具有
2019-12-20 16:51:12
上的毫米波频率。另外,GaN功率放大器支持更高的带宽,即使在较高的频率也是如此。 如今存在的两种主要GaN威廉希尔官方网站
为碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的优势在于基板成本低,可以在
2018-12-05 15:18:26
)③ SiC、GaN宽禁带电力电子威廉希尔官方网站
的机遇和挑战 ④ 针对宽禁带电力电子威廉希尔官方网站
特性的封装威廉希尔官方网站
⑤ SiC、GaN器件与Si器件的对比(优势、驱动上的区别、结构和成本的影响)五、活动报名电话:***微信:CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
智能设备突破尺寸桎梏
2021-01-12 07:59:22
森木磊石PPEC 小组的建立,就是为了方便大家更好的了解森木磊石的产品以及相关威廉希尔官方网站
!在这里可以分享自己的各种疑问,也可以分享自己的威廉希尔官方网站
心得,或者是提出自己宝贵的建议,森木磊石专业工程师为你们护航
2022-05-19 10:42:11
。 GaN等突破性威廉希尔官方网站
的长期影响是显着的:较低的功率损耗意味着我们不需要很多新发电厂来满足日益增长的电力需求。更高的功率密度意味着更多的集成。电池供电电路(例如电动车辆、无人机和机器人中的电路)可以
2018-11-20 10:56:25
在半导体威廉希尔官方网站
中,与数字威廉希尔官方网站
随着摩尔定律延续神奇般快速更新迭代不同,模拟威廉希尔官方网站
的进步显得缓慢,其中电源半导体威廉希尔官方网站
尤其波澜不惊,在十年前开关电源就已经达到90+%的效率下,似乎关键指标难以有大的突破,永远离不开的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪声,少有见到一些突破性的新威廉希尔官方网站
面市。
2019-07-16 06:06:05
射频半导体威廉希尔官方网站
的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)威廉希尔官方网站
在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)威廉希尔官方网站
成为接替传统LDMOS威廉希尔官方网站
的首选威廉希尔官方网站
。
2019-09-02 07:16:34
的产值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高频操作的优势,仍是各大科技厂瞩目的焦点。除了高规格产品使用GaN-on-SiC的威廉希尔官方网站
外,GaN-on-Si透过其成本优势,成为目前GaN功率组件的市场
2019-05-09 06:21:14
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选威廉希尔官方网站
。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体,如果不妥,请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
[size=0.19]维安WAYON从原理到实例:GaN为何值得期待?(WAYON维安一级代理分销KOYUELEC光与电子提供原厂威廉希尔官方网站
支持)功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要指能够
2021-12-01 13:33:21
视频监控威廉希尔官方网站
在火灾报警领域有哪些新突破?
2021-06-01 06:47:05
``铝基板打样很多企业都是家常便饭,但是打样却最终决定着自己是否可以和打样的这个客户合作----样品的质量,质量是掌握在一线的威廉希尔官方网站
人员手里;在互联网迅速发展的情况下,我们都知道劳动工人出现缺口;同时
2017-01-10 17:05:54
一般塑料爆裂的二种情况 弯曲正应力强度条件 剪切力强度条件 一些连接器塑料破裂不易爆裂的原因.连接器中的塑料破裂一般有以下两种情况:1、此时可改用结合强度较强的材料,如PA。2、塑料与端子干涉太大而
2017-01-17 16:25:08
MAMG-100227-010C0L 是一款 GaN-on-Si 混合功率放大器 (PA),工作频率为 225 至 2600 MHz。它提供 10 W CW 的输出功率、22 dB 的功率增益
2022-08-22 16:27:29
MACOM 的 MAGX-101214-500 是一款 GaN-on-Si 功率晶体管,适用于脉冲 L 波段雷达系统,适用于 1.2 至 1.4 GHz 的机场监视雷达 (ASR) 应用。它在 50
2022-08-30 15:20:26
晶圆外延膜厚测试仪威廉希尔官方网站
点:1.设备功能:• 自动膜厚测试机EFEM,搭配客户OPTM测量头,完成晶圆片自动上料、膜厚检测、分拣下料;2.工作状态:• 晶圆尺寸8/12 inch;• 晶圆材
2022-10-27 13:43:41
破裂强度试验机/破裂机/纸箱破裂试验机你好!欢迎参观我公司产品。如有信息不详细请你点击我公司网站,打我公司电话或给我联系。谢谢!产品名称:破裂强度试验机
2007-12-06 20:18:19319 纸品爆破测试仪/破裂机/纸箱破裂试验机高天破裂强度试验机/破裂机/纸箱破裂试验机0769-23169941专业生产纸箱抗压试验机,盐雾试验箱,单翼跌落试验机,环压强度试验机,恒温恒湿
2008-07-23 11:45:25530 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利威廉希尔官方网站
,美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利威廉希尔官方网站
。因此,研发其他衬底上的GaN基LED生产威廉希尔官方网站
成为国际上的一个热点。南昌大学
2010-06-07 11:27:281388 日本田村制作所与光波公司宣布,开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件,预计可在2011年度末上市该元件及氧化镓(Ga2O3)基板
2011-03-29 11:39:291042 PCB制造过程基板尺寸的变化问题,讲述了产生的原因及解决方法
2011-12-15 14:03:551110 安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目,共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 目前在LED制程中,蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战,但是考虑到成本与良率,蓝宝石在近两年内仍然具有优势.由于蓝宝石硬度仅次于钻石,因此对它进行减薄与表面平坦化加
2012-10-18 09:58:491507 来自德国的AZZURRO成立于2003年,主要是提供新型态晶圆给功率半导体与LED厂商使用。AZZURRO拥有独家专利氮化镓上矽(GaN-on-Si)的威廉希尔官方网站
。
2012-10-22 10:54:411198 松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ,GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面,Si基板产品为18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 基于声源定位威廉希尔官方网站
的滑坡破裂面追踪系统_潘忠晴
2017-01-12 19:56:232 经纬方向差异造成基板尺寸变化;由于剪切时,未注意纤维方向,造成剪切应力残留在基板内,一旦释放,直接影响基板尺寸的收缩。基板表面铜箔部分被蚀刻掉对基板的变化限制,当应力消除时产生尺寸变化。
2018-03-14 09:55:022193 射频半导体威廉希尔官方网站
的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)威廉希尔官方网站
在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001243 目前在LED制程中,蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战,但是考虑到成本与良率,蓝宝石在近几年来具有一定的优势,因此对它进行减薄与表面平坦化加工非常困难,在逐渐的摸索中,业界形成了一套大致相同的对于蓝宝石基板进行减薄与平坦化的工艺。
2018-08-09 09:18:374319 浙江大学近期首次报道了没有电流折叠(即没有动态导通电阻降低)的垂直GaN功率整流器(GaN-on-GaN)。这款功率整流器即使在从高反向应力偏置切换到500V后也仅需200ns,性能也超过了目前最先进的硅(GaN-on-Si)器件上的横向氮化镓。
2018-10-26 17:28:514990 关键词:GaN , 5G威廉希尔官方网站
, 5G网络 来源:拓墣产业研究院 相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC与GaN(氮化镓)具备耐高电压特色,并有耐高温与适合在高频环境下优势,其可使芯片
2018-11-09 11:44:01220 今年9月,意法半导体展示了其在功率GaN方面的研发进展,并宣布将建设一条完全合格的生产线,包括GaN-on-Si异质外延。
2018-12-18 16:52:144894 自从20年前第一批商用产品问世,GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手,并且,正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时
2019-05-09 10:25:184319 经纬方向差异造成基板尺寸变化;由于剪切时,未注意纤维方向,造成剪切应力残留在基板内,一旦释放,直接影响基板尺寸的收缩。
2019-08-22 11:12:54664 本文报道了一个深入研究的负阈值电压不稳定性的gan-on-si金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管部分凹陷algan。基于一组在不同温度下进行的应力/恢复实验,我们证明:1)在高温和负栅偏压(-10v
2019-10-09 08:00:002 根据分析机构 Yole 的数据显示,英特尔和 Macom 在射频的GaN-on-Si 专利领域处于领先地位。
2020-03-01 19:45:152726 近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程威廉希尔官方网站
,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性。此外,公司还报告了其 300 mm 外延片的成功发展蓝图。
2020-04-08 16:53:123930 作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 GaN威廉希尔官方网站
突破了硅基IGBT和SiC等现有威廉希尔官方网站
的诸多局限,可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。在电动车领域,GaN威廉希尔官方网站
可直接降低功率损耗,从而为汽车实现更长的行驶里程。同时,更高效的功率
2020-09-18 16:19:172638 近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程威廉希尔官方网站
,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性
2020-12-24 10:20:301340 射频半导体威廉希尔官方网站
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2020-12-25 16:42:13411 1月5日消息,知名供应链媒体 Digitimes 昨日报道称,Unikorn 开始生产 100W 的 GaN-on-Si 芯片,且有望在今年为苹果生产相应的产品。当然,苹果的 GaN 充电器大概率是用于 Mac 系列电脑而非手机,
2021-01-05 10:40:331564 华进半导体在FCBGA基板封装威廉希尔官方网站
领域通过多年的投入和威廉希尔官方网站
积累,目前已经形成了大基板设计、仿真,关键工艺开发和小批量制造等一体化标准流程,填补了大尺寸FCBGA国内工艺领域空白。 FCBGA
2021-03-29 17:48:294213 介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造威廉希尔官方网站
,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键威廉希尔官方网站
,提供了
2021-04-21 09:55:203871 与硅 MOSFET 相比,电气端子可以更接近 10 倍。这导致 GaN 和硅之间有一个明显的区别因素:中压 GaN 器件可以建立在平面威廉希尔官方网站
上,而这对于硅器件来说成本过高。为了具有竞争力,硅器件采用垂直威廉希尔官方网站
制造,因此在同一芯片中不可能有两个功率器件。EPC 的 GaN-on-Si 平面威廉希尔官方网站
没有这个必须垂直构建的限制,
2022-07-29 11:12:341625 氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)正迅速获得采用,因为它能够提高效率并缩小电源供应器尺寸。不过,在投资这个威廉希尔官方网站
之前,您可能仍会问自己GaN是否可靠。但令我震惊的是,没有人问硅(Si)是否可靠。其实仍然有新的硅产品持续上市,电源设计人员也同样关注硅功率组件的可靠性。
2022-08-02 14:24:351307 的限制,并且高温性能和低电流特性较差。高压 Si FET 在频率和高温性能方面也受到限制。因此,设计人员越来越多地寻求采用高效铜夹封装的宽带隙 (WBG) 半导体。 功率氮化镓威廉希尔官方网站
GaN 威廉希尔官方网站
,特别是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体
2022-08-04 09:52:161078 氮化镓 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 电源转换应用的系统成本。在这些应用中,eGaN ® FET 和 IC 的应用迅速增长,已被纳入高密度计算以及许多新的汽车电源
2022-08-05 10:19:12871 GaN为横向组件,生长在不同基板上,例如SiC或Si基板,为异质磊晶威廉希尔官方网站
,生产出来的GaN薄膜品质较差,虽然目前能应用在快充等民生消费领域,但用于电动车或工业上则有些疑虑,同时也是厂商极欲突破的方向。
2022-12-07 15:58:181959 GaN-on-Si LED威廉希尔官方网站
是行业梦寐以求的威廉希尔官方网站
。首先,硅是地壳含量第二的元素,物理和化学性能良好,在大尺寸硅衬底上制作氮化镓LED的综合成本可以降低25%;
2023-03-10 09:04:16886 传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系,其中X金属可为Ni,Mo,PT,Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺(>800℃),第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 氮化铝为大功率半导体优选基板材料。氧化铍(BeO)、氧化铝(Al2O3)、 氮化铝(AlN)和氮化硅(Si3N4)4 种材料是已经投入生产应用的主要陶瓷基板 材料,其中氧化铝威廉希尔官方网站
成熟度最高、综合性能好、性价比高,是功率器件最为常用 的陶瓷基板,市占率达 80%以上。
2023-05-31 15:58:35879 FCBGA基板威廉希尔官方网站
不同于普通基板。首先,随着数据处理芯片的尺寸增加到70 mmx 70 mm,配套的FCBGA基板从80 mmx80 mm向110 mmx110mm的更大尺寸过渡。
2023-06-19 12:48:072558 付出更大的成本?本文会以适配器(Adaptor)的应用来做说明。图1目标产品应用种类氮化镓(GaN)是横向结构的功率元件,其具有小于硅(Si)的十分之一以下的闸极电荷(
2022-12-09 14:41:082746 年复一年,越来越多的用户通过无线方式传输越来越多的数据。为了跟上这一趋势并使数据传输更快、更高效,第五代移动通信 (5G) 正在推出,业界已经在关注未来的发展。5G 可实现 10Gbit/s 的峰值数据速率,而 6G 预计从 2030 年起将以 100Gbit/s 的速度运行。除了应对更多数据和连接之外,研究人员还研究下一代无线通信如何支持自动驾驶和全息存在等新用例。
2023-07-06 10:00:10339 日前有消息称,英特尔公司最近取得突破性的威廉希尔官方网站
创新,推出了针对下一代半导体封装的玻璃基板。 据悉,这种玻璃基板与传统的有机基板相比,具有明显的性能优势。它表现出更出色的热性能、物理性能和光学性能,使得
2023-09-20 10:39:14541 GaN的驱动电路有哪些挑战?怎么在威廉希尔官方网站
上各个突破?GaN驱动电路有哪些设计技巧? GaN(氮化镓)是一种新型的半导体材料,相比传统的硅材料,具有更高的电子迁移率和能力,因此在功率电子领域有着广泛
2023-11-07 10:21:44513
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