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积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 上一篇我们先就SiC MOSFET的驱动电压做了一定的分析及探讨（SiC设计分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨）。本
2022-06-16 07:00:00
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本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数
2015-10-14 09:38:542606 
我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容时，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915831 
本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给出分析和计算过程，供设计工程师在选择功率开关器件时参考！
2022-07-06 18:10:021885 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时，将产生JFET效应，从而增加通态电阻;同时，这种结构的寄生电容也较大。
2023-02-12 16:03:093214 
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
的威廉希尔官方网站
、项目经验积累，着笔SiC相关设计的系列文章，希望能给到大家一定的参考，并期待与您进一步的交流。 本文作为系列文章的第五篇，主要针对SiC MOSFET相关应用中的EMI改善方案做一些探讨。 对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFE
2022-08-30 09:31:001211 
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件
2018-11-21 15:52:43
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷可以在死区时间内被
2018-07-13 09:48:50
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷可以在死区时间内被
2018-07-18 10:09:10
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
时的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流过尾电流，因此相应的开关损耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基势垒二极管）的组合与IGBT＋FRD（快速恢复二极管）的关断损耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。与Si-MOSFET的区别：驱动电压SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，由于漂移层
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模块所谓全SiC功率模块全SiC功率模块的开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2应用要点缓冲电容器 专用栅极驱动器和缓冲模块的效果Si功率元器件基础篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00
的SiC-MOSFET由于寄生双极晶体管的电流放大倍数hFE较低，因而不会发生电流放大，截至目前的调查中，即使在50kV/µs左右的工作条件下，也未发生这种损坏模式。关于体二极管快速恢复时的dV/dt，一般认为
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的组成中，发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2个晶体管并联组成了1个开关
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能会严重影响全局开关损耗。针对此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保护功能，如图3所示，以控制米勒电流。当电源开关关闭时，驱动器将会工作，以防止因栅极电容的存在，而出现感应导通的现象。图3
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年报告，展示了SiC模块开发活动的现状。我们相信在分立封装中SiC MOSFET的许多亮点仍然存在，因为控制和电源电路的最佳布局实践可以轻松地将分立解决方案的适用性扩展到数十
2023-02-27 13:48:12
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-03-14 06:20:14
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。全SiC功率模块的开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的全SiC功率模块的开关
2018-11-30 11:31:17
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-25 06:20:09
SiC 电路中的寄生电感和电容首先，SiCMOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。这种特性支持高开关频率，因此有助于实现高功率密度设计。但是，与这种好处如影随形的是，在布局中
2022-03-24 18:03:24
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
是，容许相同的发热与损耗时，开关工作可以更高速。以开关电源为例，通过提高开关频率，将能够使用更小型的线圈（电感）与电容器，从而可实现小型化，更节省空间。 实现稳定的温度特性SiC的温度特性的变动比Si
2018-12-04 10:26:52
在通用PWM发电机中，我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗？
2024-03-01 06:34:58
。碳化硅与Si相比，SiC具有： 1.导通电阻降低两个数量级2.电源转换系统中的功率损耗较少3.更高的热导率和更高的温度工作能力4.由于其物理特性固有的材料优势而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率电子和模拟
2023-03-29 15:06:13
失效模式等。项目计划①根据文档，快速认识评估板的电路结构和功能；②准备元器件，相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展，按时间计划实施，④项目调试，优化，比较，分享。预计成果分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
40mR导通电阻Ron的SIC-MOSFET来说，17A的电流发热量还是挺大，在实际应用中需要加强散热才可以。不过，1200V的SIC-MOSFET并不适合做低压大电流的应用，这里才是48V的测试，属于
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
%提升到了97.3%。图5功率损耗对比5、结论新的APS系统采用了最新的1.2kV全SiC功率模块，凭借其低损耗、高工作温度等特点，器件的开关频率得以提高。在本设计中，作者考虑到了高开关频率可以使滤波
2017-05-10 11:32:57
、SiC SBD开关损耗低，可提高系统效率
下图为相同规格的Si FRD和SiC SBD在不同温度下的反向恢复电流对比，其中SiC SBD是我司推出的SiC SBD产品，Si FRD是国际一线品牌主流
2023-10-07 10:12:26
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
。设计挑战然而，SiC MOSFET 威廉希尔官方网站
可能是一把双刃剑，在带来改进的同时，也带来了设计挑战。在诸多挑战中，工程师必须确保：以最优方式驱动 SiC MOSFET，最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
摘要 本文介绍了碳化硅（SiC）器件在高频率 LLC 谐振 DC/DC 转换器中的应用。此类转换器可用于母线转换器、电动汽车充电机、服务器电源和储能系统。在开关频率较高的情况下，LLC 变压器
2023-02-27 14:02:43
的输出电容依然会分压，当回路中存在电压震荡时，低压Si MOSFET依然有被击穿的风险。SiC MOSFET沟槽栅的主要优势来源于纵向沟道，这不但提高了载流子迁移率（这是由于SiC（1120）晶面
2022-03-29 10:58:06
业内先进的 AC/DC转换器IC ，采用 一体化封装 ，已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 （TO263-7L）中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
:・全SiC功率模块由ROHM自主生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成。・与Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。・全SiC功率模块正在不断进化，最新产品搭载了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
本文将介绍全SiC模块的应用要点—缓冲电容器。在高速开关大电流的电路中，需要添加缓冲电容器。什么是缓冲电容器缓冲电容器是为了降低电气布线的寄生电感而连接在大电流开关节点的电容器。寄生电感会使开关
2018-11-27 16:39:33
二极管（Si FRD）的IGBT相比，开通损耗显著降低。 在用于车载充电应用的案例中，开关损耗降低了67%，整体损耗降低了56%。此外，在与通常被认为比IGBT损耗更少的SJ-MOSFET进行比较
2022-07-27 10:27:04
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
650V SiC MOSFET 的功率损耗低，可以在双向高功率转换应用（例如 EV 的 OBC）中实现高功率密度和高效率。
2023-02-27 09:44:36
I.引言 高效率已成为开关电源（SMPS）设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现低导通电阻，以降低开关损耗和导
2018-10-08 15:19:33
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗
2018-12-04 10:14:32
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
励磁电流ILM开始在死区时间内对低侧晶体管的输出电容放电。在状态2时，寄生输出电容完全放电，GaN功率晶体管通过2DEG通道从源极到漏极以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一个固有的双极
2023-02-27 09:37:29
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且威廉希尔官方网站
尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-05-07 06:21:51
的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器，在测量器件引脚间的电压时，通常是无法将电压
2022-09-20 08:00:00
也是基于电容的特性，下面将从结构上介绍这些寄生电容，然后理解这些参数在功率MOSFET数据表中的定义，以及它们的定义条件。1、功率MOSFET数据表的寄生电容沟槽型功率MOSFET的寄生电容的结构如图
2016-12-23 14:34:52
来看看图1中的产品组合。 在查看该产品组合解决的电压范围时，很明显，SiC MOSFET与Si MOSFET竞争，并且存在与IGBT竞争的范围。在较低的电压范围内，Si MOSFET确实与SiC器件
2023-02-24 15:03:59
阻并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
–节能化和小型化，比如有助于提高功率转换效率，可实现散热器的小型化，可高频工作从而实现变压器和电容器的小型化等。右图是在AC/DC转换器中SiC-MOSFET与Si-MOSFET的效率比较。如图所示
2018-11-27 16:54:24
均高于96.5％的原型，其中CCM图腾柱PFC转换器为67 kHz，CLLC谐振转换器为150-300 kHz。通过将功率半导体和功率磁器件集成在同一工具散热器上，由于650V SiC MOSFET的低功率损耗，因此在双向高功率转换应用（例如EV的OBC）中可以实现高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗
2018-12-04 10:11:50
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响，提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型。该模型考虑了寄生电感、SiC MOSFET非线性结电容
2018-03-13 15:58:38
13 Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数
2020-09-29 10:44:009 电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计，而在高开关频率高功率的应用中，SiC器件优势明显，这就使得SiC MOSFET在5G基站、工业电源、光伏、充电
2021-08-13 18:16:276631 电子发烧友网报道（文/李诚）工业4.0时代及电动汽车快速的普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能也随之提高，传统的Si-MosFet性能已被开发的接近顶峰，SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备
2022-11-06 21:14:51957 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335 
继前篇的Si晶体管的分类与特征、基本特性之后，本篇就作为功率开关被广为应用的Si-MOSFET的特性作补充说明。MOSFET的寄生电容：MOSFET在结构上存在下图所示的寄生电容。
2023-02-09 10:19:241996 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:011446 
EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间
2023-02-23 09:20:462 本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 
3.1 驱动电源SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册
2023-02-27 14:41:099 驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028 SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
Si对比SiC MOSFET 改变威廉希尔官方网站
—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 
使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
可行的解决方案。 首先，让我们了解一下SIC MOSFET的基本原理和结构。SIC（碳化硅）MOSFET是一种基于碳化硅材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管。相较于传统的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的载流能力、更低的导通电阻和更优秀的耐高温性能，可以应用于高频、高功率和高温环境
2023-12-21 11:15:52272 MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的迁移率和击穿电压，以及更低的导通电阻和开关损耗。这些特性使其成为高温高频率应用中的理想选择。 SIC MOSFET在电路中具有以下几个主要的作用： 1. 电源开关
2023-12-21 11:27:13687
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