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本次实验旨在带您熟悉变压器耦合放大器的阻抗匹配操作。升降压变压器的基本定义是一种将输入的交流电压转换为比原电压更高(升压)或更低(降压)的器件。此外还有可用于将电路与地隔离的变压器,这种变压器被称为隔离变压器。本文将侧重讨论变压器的另一种用途,即用于匹配电路阻抗以实现 最大功率传输。...
本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题,重点关注功率晶体管和自举电容。降压转换器用于演示忽视功率晶体管时序规范的影响,以及移除自举电容时会发生什么情况。功率晶体管具有最小导通和关断时间要求,以确保FET栅极电容正确充电和放电,从而保证晶体管完全导通和关断。如果忽略这些要求(例如...
TPA267x系列产品带宽10MHz,压摆率达到15V/μs,产品在100KHz电源干扰下抑制比达到了80dB,降低了客户在电源上的设计成本,广泛适用于工业自动化、光伏储能、电机驱动器和音频设备等领域。...
设计测试电路,使用 F030单片机进行测试。输入的模拟信号经过RC滤波之后,发送到 ADC的第0通道。使用两个电阻将模拟地和电源分开。电路板上还设置了 3.3V的稳压芯片。设计电路PCB,使其能够适应一分钟制板方法。...
栅极参数设计是通过理论计算或建模仿真,模拟器件的开关状态,掌握其动态特性。常用的仿真软件有ANSYS和MATLAB等,其核心还是理论计算。...
PT100是正温度系数的热敏电阻,顾名思义,随着温度的升高,电阻的阻值变大;相反,如果随着温度的升高,电阻的阻值变小,就是负温度系数的热敏电阻。...
统讲法一般分三步,以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例),如示意图A。1.发射区向基区注入电子;2.电子在基区的扩散与复合;3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”(注1)...
暗恋就像根二极管,总是单向的电流。除非你运气好,表白时二极管反向击穿了,否则你就一直这样毫无回报的付出吧,别抱怨,谁让你选二极管呢。...
当MOS管驱动能力不足时,我们会使用推挽电路来放大电流,但是MOS管明明是压控型器件,为什么要去考虑电流大小呢?...
低阻抗、大面积接地层对于模拟电路和数字电路都是至关重要的。接地层不仅为了给高频电流(高速数字逻辑产生的)一个低阻抗返回路径,而且最大限度地减少EMI / RFI辐射。...
这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。...
在高频信号电路中,电阻不是单纯的只有电阻R,而是还有电感,电感L模拟引线,电容Ca用于模拟电荷的分离效应,电容Cb用于模拟内部引线电容。...
1. 每个IGBT有独立的驱动器; 2. IGBT的连接形式接近于硬并联,两桥臂交流输出端通过铜排直接相连; 3. 可能存在发射极环流,但不同的IGBT门极回路间不存在耦合,IGBT的开关行为很独立...
三极管是晶体管的一种,三极管的三个极分别是基极(Base)、发射极(Emitter)、集电极(Collector)。...
ESD保护二极管设计在信号线与GND之间,保护DUP器件免受浪涌电压的冲击。在正常工作模式下,ESD保护二极管几乎没有电流经过,只会有少量电流使反向击穿电压高于信号线电压。...
从 2kHz 频率开始,我们逐渐调小输入信号的频率,直至输出信号的峰峰值降至 2.05 * 0.707 = 1.45V ,此时的频率即为下限截止频率:...
.通电导通性检查 用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...
为了保护接口,抵抗小能量电压脉冲,防止信号脉冲损坏接口的。 举个简单的例子: 一个串口通讯的提示信号,当接上串口时,因为瞬间的插拔产生了一个很窄的电压脉冲...
必须在基极和发射极之间施加电流,以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET,当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...