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标签 > 栅极电阻
栅极驱动电路的驱动器输出级是一种典型的设计,采用了两个按图腾柱形式配置的MOSFET。
由于栅级电阻上的大负载,建议使用电阻并联的形式。这将产生一个冗余,如果一个栅极电阻损坏,系统可临时运行,但开关损耗较大。每个并联电阻有关功耗和峰值功率能力的性能,必须设计为满足应用中的最大栅级电流。采用栅级电阻并联的方式,也有利于增强热扩散。栅级电阻并联的布局必须保证栅极电阻所产生的过大热量不会使安装在附近的元件过热。在考虑布局时,必须为栅极电阻留出足够大的冷却区域。印刷电路板上合适的散热器可用来实现更好的散热。
在电子工程中,栅极电阻的取值对于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的性能和稳定性至关重要。虽然100欧姆是一个常见的取值,但这个选择并非随意,...
6P14电子管是一种常见的五极管,广泛应用于音频放大器、振荡器等电子设备中。在设计和使用6P14电子管时,选择合适的栅极电阻是非常重要的,因为它直接影响...
电子管(又称真空管或热阴极管)是一种利用电子在真空或气体中流动来控制电流的电子元件。它由阴极、栅极、阳极等部分组成。栅极是电子管中非常重要的一部分,它的...
电子管,又称为真空管或热离子管,是一种利用电子在真空或惰性气体中运动来控制电流的电子器件。它在20世纪初期至中期的电子威廉希尔官方网站 中扮演了重要角色,尤其是在无线...
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种广泛应用于电力电子领域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取决于栅极电阻的选择。如果IGBT的栅极电阻过小,可能会对...
该电路的工作原理与直流可控硅电路的工作原理略有不同。当开关打开时,电路需要等到有足够的阳极电压可用,因为交流波形沿其路线移动。此外,SCR电路需要等到电...
如何简单的dv/dt控制威廉希尔官方网站 降低IGBT开通损耗
功率半导体的栅极电阻选型,一般有两个优化目标。一方面,选择电阻值较小的栅极电阻,可以使得功率半导体的开关速度更快。这将降低开关损耗,从而降低总体损耗
英飞凌推出62mm CoolSiC™模块,为碳化硅开辟新应用领域
该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常
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