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标签　>　内存时序

内存时序

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内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

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内存时序简介

　　内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

　　CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。

　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

　　RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。

　　Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

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