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标签 > utc
utc指的是世界协调时间。GPS系统中有两种时间区分,一为UTC,另一为LT(地方时),两者的区别为时区不同,UTC就是0时区的时间,LT为本地时间,如北京LT时间为早上八点(东八区),UTC时间就为零点。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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TL062 | TL062 - LOW POWER DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER - Unisonic Technologies |
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UP1753G-AA3-R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):800mW; |
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LM2940G-12V-AA3-R | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:26V;输出电压:12V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):66dB@(120Hz); |
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MCR100G-8-AD |
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2N60G-CB-AA3-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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LD1117AG-1.5V | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:15V;输出电压:1.5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz); |
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1N65G-AA3-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):1.2A;功率(Pd):8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.5Ω@10V,600mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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PZTA92G-AA3-R | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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UF640G-TN3-R |
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3N90L-TQ2-R |
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7N65L-TN3-R |
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2SB649AG-C-TN3-R | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SD669AG-C-TN3-R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SC5353BL-TN3-R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):750V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):22W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@1.2A,240mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); |
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2SB649AG-C-AB3-R | 双极功率通用晶体管 SOT89 160V 1.5A 0.5W |
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2SC4672G-A-AB3-R |
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MCR100G-6-AD-AE3-R | PNPN |
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MCR100G-8-AD-AE3-R编带 | 单向可控硅 |
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UT2305G-AE2-R | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,4.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; |
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UT2302G-AE2-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.4A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@2.5V,3.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):450mV@250uA; |
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2SC3356G-B-AE2-R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@20mA,10V;特征频率(fT):7GHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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DTA114EL-T92-K | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):625mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@10mA,300mV;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,500uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5 |
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79L05G-T92-B | 输出类型:-; |
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TIP32CL-TA3-T | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); |
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UF740L-TA3-T | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,5.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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UT100N03L-TA3-T | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
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2N60L-TA3-T | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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12N60L-TF2-T | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
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LM7912L-TA3-T | 3端子1A负电压调节器 |
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LD1117AL-50-TA3-A-T | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:15V;输出电压:5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz); |
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