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标签 > SiGe
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当CMOS威廉希尔官方网站 遇上微波传感器,更先进的雷达系统诞生了
随着武器测试威廉希尔官方网站 的进步、传统的测速威廉希尔官方网站 ,如靶圈测试、天幕靶测试等方法因测试过程 繁琐,精度较差,已不能满足实时战地测试的需要。而毫米波测速雷达将毫米波技...
使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电的完整解决方案
完整的宽带解决方案,涵盖26 GHz至44 GHz范围内的所有无线电设计。这款完整的信号链采用高度集成的宽带高性能部件,可减少元件数量,简化设计架构,加...
ADI公司拓展用于微波频率生成和转换的高集成度SiGe解决方案系列,为航空飞行、汽车雷达和5G等各种客户应用提供宽带性能。
利用氧化和“转化-蚀刻”机制对富锗SiGe的热原子层蚀刻 引言
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺威廉希尔官方网站 。近年来,原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工威廉希尔官方网站 。ALD是一种沉积威廉希尔官方网站 ...
两个可选的输入10个LVPECL输出SiGe时钟扇出缓冲器adclk950数据表立即下载
类别:电源威廉希尔官方网站 2017-10-20 标签:缓冲器sigeadclk950 1011 0
两个可选的输入12个LVPECL输出SiGe时钟扇出缓冲器adclk954数据表立即下载
类别:电源威廉希尔官方网站 2017-10-20 标签:缓冲器sigeadclk954 932 0
关于SiGe HBT 威廉希尔官方网站 和应用的未来分析和介绍
在雷达应用这块, 除了早已上市的77-78,79-81GHz雷达,主用于ADAS。同时94GHz雷达应用也已成熟,用于恶劣天气,机场地面监测等。 同时最...
来源:内容来自「驭势资本」,谢谢。 半导体封装基础 半导体制造工艺流程 半导体制造的工艺过程由晶圆制造(Wafer Fabr ication)、晶圆测试...
据IEEE报道,来自IMEC的Hans Mertens研究小组,使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管,未来经过威廉希尔官方网站 改进有可...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移动扬声器介绍
本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品——Nexperia的CFP封装SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移动系列扬声器。 1 产品...
众所週知,恩智浦半导体(NXP Semiconductors)是从荷兰皇家飞利浦(Philips)独立而出。而在歷经多年的发展转变后,今天的恩智浦,已经...
格罗方德推出性能增强型130nm硅锗射频威廉希尔官方网站 ,以促进下一代无线网络通信发展
格罗方德半导体(GlobalFoundries)于今日宣布针对硅锗(SiGe)高性能威廉希尔官方网站 组合,推出新一代射频芯片解决方案。该项威廉希尔官方网站 专为需要更优性能解决方...
恩智浦半导体 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪声放大器(LNA),进一步提高了GPS信号的线性度、噪声系数以及GPS(包括GLONASS和伽利略卫星定...
美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)日前推出世界首款单晶片硅锗(SiGe)RF前端(FE)器件L...
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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SE7351L-T | SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
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SE7351L-AK3 | SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
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SE7265L-R | SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
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SE7265L-EK1 | SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
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SE7262L-EK1 | SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc. |
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