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MOS晶体管一般指N沟MOS晶体管,N沟MOS晶体管是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)的一种,结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。
MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
无论什么电子设备,运行时间长了都会使得温度升高,当温度过高的时候不免对设备功能造成影响,电源适配器也是如此,当温度过高的时候,其内部的元器件功能就会受到...
这个噪声可以通过一个级联电压源,或者并联的电流源来模拟。电压源和电流源的功率谱密度(PSD,power spectral density), 如下图所示...
什么是耗尽型MOS晶体管 据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟
mos晶体管,金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有MOS管构成的集成电路称为MOS...
MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分...
近日,广岛大学开发的晶体管模型“HiSIM_SOI”已成为国际标准。本文就该晶体管模型进行了详细介绍。
增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思 根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上
MOS晶体管中各种类型的泄漏电流的原因 MOS晶体管是一种广泛应用于现代电子威廉希尔官方网站 中的晶体管,它具有低功耗、小尺寸、高密度等优点,被广泛应用于集成电路中...
杭州士兰集成电路有限公司是由杭州士兰微电子股份有限公司(沪市600460)出资设立的专业从事硅集成电路和分立器件的制造企业,与母公司士兰微电子有限公司一...
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