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数据中心能够完全满足AI规模应用的要求呢？

数智时代的最大特点，就是AI人工智能的广泛应用。

2024-01-25 标签：SSD 人工智能 SCM 1706 0

堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构分析

在下面的图中显示了堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构图。下图(a)显示了堆叠式DRAM存储节点接触(SNC)结构。

2023-09-08 标签：电容 DRAM 存储器 2463 0

内存芯片制造工艺 DRAM工艺流程堆叠式DRAM工艺流程

内存芯片在驱动ic市场和ic威廉希尔官方网站发展方面发挥了重要作用。市场上两个主要的内存产品分别是DRAM和NAND。

2023-09-01 标签：存储器内存芯片 DRAM控制器 7176 0

如何简化光刻胶图形化过程呢？

掺杂少量铂元素的镍硅化物的稳定性也不尽相同，还与物质的具体结构有关，举个例子来说，NiPtSi，比NiSi要稳定。

2023-08-27 标签：接触器 CMP 光刻机 996 0

ICT威廉希尔官方网站高k金属栅(HKMG)的工艺过程简析

下图(a)中的沉积块状层是必需的，这是为了SEG可以生长在设计的区域。下图(c)显示了KOH硅刻蚀，这种刻蚀对＜111＞晶体硅具有高的选择性。

2023-08-25 标签：控制器 CMP ICT威廉希尔官方网站 4567 0

具有铜互连的IC芯片设计

铜互连是一种比较新的威廉希尔官方网站。在经过深入的研究和开发后，具有铜互连的IC芯片产品第一次在1999年出现。

2023-08-18 标签：CMOS IC芯片碳化硅 1281 0

半导体之ICT威廉希尔官方网站先通孔的过程详解

对于先通孔的过程，首先沉积通孔刻蚀停止层(ESL)的层间介质(ILD)、低k电介质、沟槽ESL、低k电介质的和覆盖层(下图(a))。

2023-08-14 标签：CMP 光刻胶 ICT威廉希尔官方网站 1922 0

半导体行业之ICT威廉希尔官方网站介绍（四）

所谓的键合SOI是使用两片晶圆，一片晶圆通过高电流氢离子注入在硅表面以下形成富氢层，另一片晶圆在硅表面生长二氧化硅层(见下图)。

2023-08-04 标签：MOSFET 半导体 CMP 1717 0

半导体行业之ICT威廉希尔官方网站简介

有两个因素影响CMOS集成电路的速度，即栅延迟和互连延迟。栅延迟是指MOSFET开关的时间;互连延迟由芯片设计、工艺威廉希尔官方网站，以及互连的导体和电介质材料决定。

2023-07-31 标签：MOSFET 半导体芯片设计 1231 0

华为配电自动化解决方案，为智能电网的发展提供了新思路

华为配电自动化解决方案利用先进的xPON、LTE等ICT威廉希尔官方网站，为智能电网时代的配电自动化发展提供了新的思路。

2018-09-10 标签：智能电网 xpon ict威廉希尔官方网站 8865 0

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