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FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

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fram简介

　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

　　特点

　　FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

　　FRAM存储单元结构

　　FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位

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　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

　　特点

　　FRAM存储单元结构

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富士通铁电白皮书，选择铁电存储的4点理由以及威廉希尔官方网站原理分析

铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。

2024-12-04 标签： Fujitsu fram 铁电存储器 218 0
铁电存储器有哪些优缺点

铁电存储器（Ferroelectric RAM, FRAM）作为一种新兴的非易失性存储器威廉希尔官方网站，凭借其独特的优势在存储市场

2024-09-29 标签： FlaSh fram 铁电存储器 937 0
铁电存储器的结构特点

铁电存储器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一种结合了RAM的快速读写能力和非易失性存储特性的存储威廉希尔官方网站

2024-09-29 标签：存储威廉希尔官方网站 fram 铁电存储器 404 0
FRAM内存耐久度的优势分析

FRAM的“耐力”定义为疲劳后的记忆状态保持能力，或在许多开关周期后维持铁电开关电荷的非易失性部分的能力。

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铁电存储器和flash的区别 FRAM工作原理解析

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2024-01-23 标签： FlaSh 存储器 fram 5255 0
台积电引领新兴存储威廉希尔官方网站潮流，功耗仅为同类威廉希尔官方网站的1%

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什么是FRAM？关于铁电存储器FRAM的特性介绍

FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 标签：闪存 EEPROM fram 2859 0
RK3568笔记分享——如何挂载SPI FRAM铁电存储芯片

对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，

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铁电存储器PB85RS2MC在汽车安全气囊系统中的应用

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2023-07-20 标签：存储器 ecu fram 689 0

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标签：微控制器 msp430 fram 3526 0

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富士通FRAM存储器在智能电表中有什么应用？

标签：存储器智能电表 fram 1844 1

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标签：电容器 sopc fram 1247 1

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类别：电子资料 2024-11-07 标签：msp430 fram BSL

采用MSP430™ FRAM威廉希尔官方网站的IO-link固件更新参考设计立即下载

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使用低内存MSP430™ FRAM MCU的EEPROM仿真立即下载

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