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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
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恭喜,您完成了!您可以将此新电路与继电器一起使用,以使用非常小的开关来控制高压大电流负载!每次按下开关,电路都会改变状态。一次按一下即可打开所有内容,然...
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,该公司2021年12...
为什么可以认为Vgs电压是不变的? Vgs电压,也就是场效应管(FET)的栅源电压,在某些情况下可以被认为是恒定的。这是因为在FET工作的过程中,栅电极...
在 2019 年,Qorvo 宣布收购高性能 RF MEMS 天线调谐应用威廉希尔官方网站 供应商 Cavendish Kinetics, Inc.(简称:CK)。 ...
功率电子威廉希尔官方网站 正朝向更高的功率密度、高快的开关速度、更小的器件体积这个趋势发展,而传统的硅基器件已经接近了物理性能的天花板,很难有大幅提升的空间,因此基于...
电子发烧友网报道(文/李宁远)电流环路,自20世纪50年代开始,就已经成为过程控制系统中信号传输和电子控制的标准。很多电流环路的电源是通过LDO来提供的...
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ADI推出模拟前端ADA4350,在单个封装中集成FET输入放大器
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宜普电源推出EPC2001和EPC2015增强型氮化镓FET
宜普电源转换公司宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN) FET
我们要知道的是电气化正在改变如今的汽车行业,消费者越来越需要充电更快、续航里程更远的车辆。
2020年12月,由日本工业威廉希尔官方网站 研究院(AIST)和中国台湾半导体研究中心(TSRI)代表的联合研究小组宣布了用于2nm世代的Si(硅)/ Ge(硅)/...
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标 日前,高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc...
UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率D...
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