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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

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欧姆龙MOS FET继电器：欧姆龙MOS FET继电器优势有那些

欧姆龙MOS FET继电器优势有那些？MOS FET继电器是一种集两种产品特性为一体的电子元器件，包括机械继电器（簧片继电器）及半导体开关装置。与其他普...

2022-11-30 标签：继电器 FET MOS 1190 0

最大限度地减少SiC FET中的EMI和开关损耗

SiC FET 速度极快，边缘速率为 50 V/ns 或更高，这对于最大限度地减少开关损耗非常有用，但由此产生的 di/dt 可能达到每纳秒数安培。这会...

2022-08-04 标签：emi FET SiC 1185 0

Nexperia(安世半导体)推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商。

2023-05-10 标签：FET GaN Nexperia 1171 0

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一种便携式双电极智能血糖仪可高灵敏度监测血糖浓度

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2023-07-12 标签：发光二极管 FET 场效应晶体管 1131 0

OBC 充电器中的 SiC FET

2022-12-28 标签：充电器 FET SiC 1104 0

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2023-12-29 标签：芯片过流保护 FET 1065 0

贸泽电子开售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

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什么是MOS FET继电器？

2023-02-09 标签：继电器 FET MOS 1031 0

Nexperia全新定义MOSFET产品为特定应用提供优化的参数

Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电（PoE）应用提供ASFET系列。

2020-10-23 标签：MOSFET FET Nexperia 990 0

如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲

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北京理工大学光电学院红外量子点团队联合中芯热成科技（北京）有限责任公司（简称：中芯热成）开发了一种可控的电场激活原位掺杂方法

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安世半导体宣布推出新款GaN FET器件

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 威廉希尔官方网站和...

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Intel将在下半年发布的Meteor Lake酷睿Ultra处理器将首次使用Intel 4制造工艺，也就是之前的7nm，但是Intel认为它能达到4n...

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跨界生物电子学的蚕丝纳米界面实现高灵敏有机电子传感器

呼吸可以揭示我们的健康状况。人体呼出气体中的微小分子，能够为肺部疾病、糖尿病等很多疾病提供有用的线索。

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