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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
FET电路工作原理
一般在网上只有三极管放大电路的原理，而FET的工作原理很少提及，现在我简单地分析一下它的放大原理：电路中栅极的直流电位VG是电源电压VDD被偏压电阻R3和R2分压后的电位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。这与三极管发射极接地的放大电路基极直流电位相同。但是由于双极型晶体管中有基极电流流动，所以实际基极电位要比电源被R2和R3分压要低一些（晶体管是电流控制电流，FET是电压控制电流）。但对于FET，由于栅极没有电流流过，所以实际的栅极电位就是分压公式所求得的值。源极的直流电位VS比VG高出栅极源极间电压VGS的值，即： VS=VG+VGS 实际上，VGS是以源极为基准的，像N沟JFET那样，当源极电位比栅极高应该给VGS置以负号。因此，VS等于将VGS加到VG上时，就成为： VS=VG-VGS 双极晶体管VBE=0.6V或者0.7V，是能够相互置换的。但是对于FET来说，当器件型号和工作点（ID）不同时，VGS的值是不同的。流过源极的直流电流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏极的直流电位VD是从电源电压VDD减去RD上的电压降的部分。如果漏极电流的直流成分为ID，则有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的栅极上没有电流流过，ID=IS，所以上式也可以写成： VD=VDD-Is*RD 下面来求它的交流放大倍数。
由输入Vi引起的源极电流表的交流变化量#is为： #is=vi/RS 高漏极电流的交流变化量为#id，那么可以认为vd的交流变化量#vd就是#id在漏极电阻RD上的电压降，即： #vd=#id*RD 又因为漏极电流和源极电流相等，所以#vd为： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流输出电压vo是被输出电容C2隔断VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不难求得：交流放大倍数Av为： Av=vo/vi=RD/RS
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