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• 南亚科技与补丁科技携手开发定制超高带宽内存

  近日，台湾地区知名的DRAM内存制造商南亚科技宣布，已与专业DRAM设计公司补丁科技达成战略合作，共同致力于定制超高带宽

  2024-12-20 标签： DRAM 带宽 内存 99 0

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  DRAM的基本构造与工作原理

  本文介绍了动态随机存取器DRAM的基本结构与工作原理，以及其在器件缩小过程中面临的挑战。 DRAM的历史背景与发展 动态

  2024-12-17 标签： DRAM 存储器 265 0

• iPhone的DRAM封装，有变！

  来源： thelec 三星已经开始研究改变iPhone所用低功耗双倍数据速率DRAM的封装方法。 消息人士称，这家韩国科

  2024-12-09 标签： DRAM iPhone 封装 112 0

• SK 海力士新设AI芯片开发和量产部门，任命首席开发官及首席生产官

  据 Businesses Korea 报道，SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了

  2024-12-06 标签： DRAM SK海力士 HBM 222 0

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  AI时代核心存力HBM(上)

    一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 时代的必需品作为行业主流存储产品的动态随机存取存储器 DRAM 针对不同

  2024-11-16 标签： DRAM 存储 HBM 548 0

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  AI时代核心存力HBM(中)

  HBM 对半导体产业链的影响1. HBM 的核心工艺在于硅通孔威廉希尔官方网站 （TSV）和堆叠键合威廉希尔官方网站 硅通孔：TSV（Throug

  2024-11-16 标签： 芯片 DRAM HBM 319 0

• 2025年DRAM展望:位元产出大增25%,HBM成新增长极但供应紧张

  经历2024年前三个季度的库存消化和价格回升后，DRAM产业在第四季度的价格动能开始减弱。TrendForce集邦咨询的

  2024-11-07 标签： DRAM 存储器 HBM 474 0

• 三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片

  全球领先的存储芯片制造商三星电子正积极筹备在2026年前推出划时代的400层V-NAND闪存芯片，旨在把握人工智能（AI

  2024-11-01 标签： DRAM 三星电子 NAND闪存 591 0

• FormFactor发布2024财年第三季度财报,收入创历史新高

  FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024财年第三季度财务报告。报告显示，Form

  2024-11-01 标签： DRAM FormFactor DDR5 506 0

• 存储市场面临多重挑战,NAND与DRAM价格承压

  从需求端审视，通货膨胀的压力以及AI个人电脑应用场景的匮乏，共同制约了大规模升级周期的到来。在供应端，主要制造商在第三季

  2024-10-28 标签： DRAM NAND 存储 373 0

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