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基于昇腾AI | 英码科技EA500I使用AscendCL实现垃圾分类和视频物体分类应用
现如今，人工智能迅猛发展，AI赋能产业发展的速度正在加快，“AI+”的需求蜂拥而来，但AI应用快速落地的过程中仍存在很大的挑战：向下需要适配的硬...
华为Ascend 910和Ascend 310两款AI芯片，在底层芯片级实现了业界领先
所谓“全场景”，是指包括公有云、私有云、各种边缘计算、物联网行业终端以及消费类终端等部署环境，意味着华为有能力实现智能无所不及，构建万物互联的智能世界。
华为发布了全球首个覆盖全场景人工智能AI昇腾Ascend系列IP和芯片
所谓“全场景”，是指包括公有云、私有云、各种边缘计算、物联网行业终端以及消费类终端等部署环境，意味着华为有能力实现智能无所不及，构建万物互联的智能世界。
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| ASDM540G-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):70W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,12A; |
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|
|
| ASDM3416EZA-R | N型MOS管@@VDS20V,ID7ARDS(on),Typ@VGS=4.5V16mR |
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|
|
| ASDM7002EZA-R |
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|
||
| ASDM3401ZB-R | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):954pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):77pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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|
|
| ASDM20N12ZB-R | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):1.14W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):950mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):1.035nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):150pF@20V;工作温度:+150℃@(Tj); |
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|
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