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碳化硅(SiC)是一种具有优异物理特性的半导体材料,其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。
瞻芯电子推出车规级1200V 60A SiC 肖特基二极管(SBD)产品,助力高效大功率应用
为了满足高效、大功率变换系统应用需要,瞻芯电子开发了4款1200V 60A SiC肖特基二极管(SBD)产品,其中TO247-2封装器件产品IV2D12...
3月4日,北京顺义消息显示,顺义区21个在建市区重点产业项目全部复工复产,其中包括泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功率器件生产基地项目。
来源:Silicon Semiconductor 非常适合汽车LED头灯和其他高速开关应用。 ROHM(罗姆)开发了100V击穿肖特基势垒二极管 (SB...
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒...
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