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LMG5200器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案,该器件配有用户友好型接口且更为出色,采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。
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GaN FET 在功率转换方面的优势显著,能够承受高达 12V 的输入电压,与 TPS53632G 控制器搭配使用时,LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。
当测定氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您...
威廉希尔官方网站 前沿:TI加快GaN威廉希尔官方网站 的推广应用
相较于以往使用的硅晶体管,氮化镓 (GaN) 可以让全新的电源应用在同等的电压下以更高的转换频率运行。这意味着,在同样的条件下,GaN可实现比基于硅材料...
2015-04-02 标签:TIGaN威廉希尔官方网站 LMG5200 875 0
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