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L82C37A采用2.0μm硅栅CMOS全离子注入工艺制造。衬底材料为N型硅,晶向为〈100〉,电阻率为6~9Ω.cm。
L82C37A采用2.0μm硅栅CMOS全离子注入工艺制造。衬底材料为N型硅,晶向为〈100〉,电阻率为6~9Ω.cm。
L82C37A主要功能有以下七点:
(1)该电路有四个独立DMA通道;
(2)每个通道的DMA请求都可分别允许和禁止;
(3)每个通道的DMA请求优先权具有固定方式和循环方式;
(4)每个通道一次传送的最大长度64k字节的数据,可在存储器与外设间进行传送,也可在存储器的两个区间进行传送;
(5)有四种DMA传输方式:①单字节传输方式;②数据块传输方式;③请求传输方式;④ 级连方式。在每种方式下,都能在接收外设的请求信号DREQ后,向外设发送响应信号DACK后就可以占用总线,进行DMA传送。每传送一个字节,修改一次地址指针,当规定传送的字节数送完时,发出终端计数脉冲TC,结束传送或重新初始化;
(6)允许外设用EOP信号结束DMA传送或重新初始化;
(7)L82C37A可以级联,任意扩展通道数。
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