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IGBT器件是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,是通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT器件是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,是通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即绝缘栅双极型晶体管,是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结...
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封装结构的创新使得双面散热(double-sided cooling, DSC)功率模块比传统单面散热(single-sided cooling, SS...
所以在芯片国产化的发展之路上,我们看到一个有趣的思路:一些能力和储备相对比较出色的终端企业开始自研芯片,并首先应用于自家终端产品——基于自家产品的先验基...
安森美的电源产品包括绝缘栅双极晶体管(IGBT),这是一种三端半导体器件,具有宽泛的双极电流承载能力。其产品组合包括650V ~ 1200V用于牵引驱动...
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