雪崩击穿

功率器件雪崩击穿的工作原理和失效机理

雪崩耐量是功率器件性能评估的关键指标，那么什么是雪崩耐量呢？即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收...

2024-08-15 标签：MOSFET雪崩击穿功率器件 1435 0

一文详解齐纳击穿和雪崩击穿

图1给出了PN二极管的伏安特性，包括击穿区域。因此，当PN二极管高度反向偏置时，结可能会击穿，即它呈现极小的电阻，导致电流在几乎恒定的电压下突然增加。只...

2024-05-05 标签：二极管雪崩击穿齐纳击穿 9150 0

TVS瞬态电压抑制器关键参数都有哪些？

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。

2024-02-26 标签：二极管TVS雪崩击穿 1220 0

MOSFET雪崩击穿图解 MOSFET避免雪崩失效的方法

当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。

2024-02-25 标签：MOSFET雪崩击穿功率器件 4405 0

一文详解雪崩击穿与齐纳击穿

材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

2024-02-25 标签：PN结雪崩击穿载流子 5348 0

什么是雪崩击穿？电除尘器中的电子雪崩现象

材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

2024-02-25 标签：示波器雪崩击穿单脉冲 1340 0

什么是雪崩击穿 雪崩失效电流路径示意图

雪崩击穿（Avalanche Breakdown）是半导体器件中一个关键的物理现象，特别是在PN结二极管和各种类型的功率晶体管中。当这些器件的反向电压超...

2024-02-23 标签：电流半导体雪崩击穿 3128 0

雪崩击穿和齐纳击穿区别有哪些

崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、雪崩...

2023-12-30 标签：电压雪崩击穿半导体器件 2.1万 0

雪崩击穿和光电器件介绍与仿真

本推文包含两个部分，一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系，一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真，和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。

2023-11-27 标签：仿真光电器件雪崩击穿 1303 0

如何提高开关电源芯片MOSFET雪崩可靠性？

当功率器件PN结的反向电压增大到某一数值后，半导体内载流子通过碰撞电离开始倍增，这一现象与宏观世界中高山雪崩是很像的，所以我们称之为雪崩击穿。

2023-11-23 标签：MOSFET示波器VDMOS 1202 0

一文详解MOSFET的失效机理

当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。

2022-05-16 标签：MOSFET雪崩击穿雪崩失效 4549 0

什么原因导致了静态雪崩击穿？

IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。

2021-05-15 标签：IGBT雪崩击穿 5888 0

雪崩击穿与齐纳击穿有什么区别？

随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。

2020-09-13 标签：雪崩击穿齐纳 7.2万 0