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标签 > 硅二极管

硅二极管

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  硅二极管死区电压约0.5伏,锗的0.1伏,正向压降硅0.6~0.7伏,锗0.2~0.3伏,硅反向电流小,耐压高,锗相反。

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硅二极管简介

  硅二极管与锗二极管的区别主要如下:在电流相同时,锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。根据实验研究,锗二极管正向在0.2V就开始有电流了,而硅二极管要到0.5V才开始有电流,也就是说两者达到导通的起始电压不同。在反向电压下,硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后,锗管电流增大速度较慢,硅管电流增大速度相对较快。

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