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Infineon MOSFET 于switch power应用中软/硬切换建议

当电晶体开关时电压和电流出现重叠时，就会出现硬切换。这种重叠会造成能量损失，可透过提高di/dt和dv/dt将能量损失降至最低。然而，快速变化的di/d...

2023-11-18 标签：英飞凌 MOSFET Infineon 464 0

人工水晶品质确认

长晶方式：水热生长法未加工前原石（毛棒）加工后晶棒（精棒）水热法长晶方式存在一定缺陷1.水热法存在某些缺陷，影响Q值。2.高压釜在管控存在差异。3.矿石...

2023-05-10 标签：水晶头电晶体 1024 0

美国普渡大学研究人员发现一种衍生自稀有元素碲的极薄二维材料，可大幅提升芯片电晶体运行效率

美国普渡大学研究人员发现一种衍生自稀有元素碲（tellurium）的极薄二维材料，可大幅提升芯片电晶体运行效率，进而提高电子设备（如手机、电脑）处理讯息...

2018-05-28 标签：半导体电晶体二维材料 1284 0

英国科学家设计新型电晶体可让可穿戴设备超低功耗运行

英国剑桥大学（Cambridge University）日前推出新的电晶体设计，可让穿戴式等装置利用周遭电晶体的电力作为能源供应来源并可在1伏特下运作且...

2016-11-10 标签：可穿戴电晶体 891 0

半导体FD-SOI制程的决胜点在14nm！

半导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28纳米以下之后的闸成本（gate cost）上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持...

2016-06-17 标签：半导体电晶体 FD-SOI制程 1611 0

FinFET教父预测：新电晶体点燃芯片产业未来

“不必担心‘摩尔定律’走到尽头，因为在整个半导体发展蓝图上还有许多好办法。”被誉为“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美国举行的“新思科技产品...

2016-05-11 标签：芯片晶体管电晶体 1407 0

2016会是碳纳米管电晶体年？

自从NEC研究人员饭岛澄男（Sumio Iijima ）在1991年首度发现碳奈米管（CNT）后，这方面的研究一直持续进展。他形容碳奈米管是继石墨稀、钻...

2015-12-03 标签：碳纳米管电晶体 1095 0

打破成本“桎梏” 半导体业积极追寻替代新威廉希尔官方网站

随着芯片制造的成本与复杂度不断提高，使得今年成为半导体产业整併以及寻找替代性威廉希尔官方网站创记录的一年。在日前于美国加州举行的IEEE S3S大会上，举会的工程师...

2014-11-04 标签：英飞凌 SOI 电晶体 936 0

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寒武纪是目前国际上少数几家全面系统掌握了通用型智能芯片及其基础系统软件研发和产品化核心威廉希尔官方网站的企业之一，能提供云边端一体、软硬件协同、训练推理融合、具备统一生态的系列化智能芯片产品和平台化基础系统软件。
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半导体芯片：在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它），锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态随机存取内存（D-RAM）市场占上风。
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