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结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区分指南

JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半...

2024-05-08 标签：场效应管 JFET 并联电容 1.1万 0

增强型MOS管的结构及工作原理

通常将栅极与衬底连接在一起，这样衬底与栅极之间就形成电容，当栅极与源极之间电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层出的感应电荷的多少，从而控制漏极电流大小。

2023-02-13 标签：半导体 MOS管 MOS 7833 0

如果MOS管处于米勒平台的区间内，MOS管工作在哪个区？

MOS管的3种工作状态：截止区、恒流区(饱和区)、可变电阻区，这个想必大家都知道。但光知道这个还不太够，还需要清楚进入相应工作区的充分条件。

2023-02-20 标签：MOS管可变电阻仿真电路 5040 0

确定JFET特性的简单电路

当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：I...

2012-07-25 标签：jfet特性漏极电流 jfet器件 4607 0

晶体管入门基础知识全面解析

基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。

2024-03-27 标签：二极管 MOSFET 电阻器 3616 0

在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化

650V SiC MOSFET的拥护者可能会指出，他们发现其他类似器件在Tj =125°C下的该数值通常为+20-25%。这能说明SiC MOSFET比...

2021-01-08 标签：MOSFET SiC 栅极驱动 3151 0

MOS管米勒效应：感性负载和阻性负载差异点解析

通过AM1波形，我们能看到二极管上有电流流过（一部分的电感电流，续流），二极管处于正偏状态。

2023-04-11 标签：二极管 MOS管漏极电流 2690 1

三极管和MOS管的正确应用

三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。

2022-07-29 标签：三极管 MOS管漏极电流 1883 0

浅谈电机控制器设计功率器件的选择

I D I_DID 为漏极电流的有效值，由于输出波形是正弦波，所以漏极电流的峰值为漏极电流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。

2020-11-21 标签：电机控制器功率器件漏极电流 1867 0

场效应晶体管的工作原理和种类特点

在普通的晶体管中，电流由电子与空穴搬运，其“具有两种极性”，所以被称为双极性晶体管。与此相比，N沟道FET是由电子来搬运电流的，P沟道FET是由空穴来搬...

2024-02-05 标签：晶体管 MOS 场效应晶体管 1672 0

mos管连续漏极电流是什么

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电...

2024-09-18 标签：半导体 MOS管晶体管 1590 0

mos管源极和漏极电流相等吗

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（S...

2024-09-18 标签：MOS管电子电路半导体器件 1250 0

【科普小贴士】MOSFET的性能：漏极电流和功耗

2023-12-07 标签：MOSFET 漏极电流 1029 0

基于NX封装的低杂感SiC MOSFET模块设计

功率模块从硅IGBT威廉希尔官方网站过渡到基于SiC MOSFET威廉希尔官方网站是不可避免的。然而，从硅IGBT时代留下来的外形尺寸偏好仍然阻碍着SiC威廉希尔官方网站的商业化，因为它们...

2024-05-08 标签：MOSFET IGBT 功率模块 1004 0

了解栅极-源极电压浪涌

由于这种开关工作，受开关侧LS电压和电流变化的影响，不仅在开关侧的LS产生浪涌，还会在同步侧的HS产生浪涌。

2024-01-24 标签：MOSFET SiC 同步升压 682 0

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