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激光雷达的工作原理及如何利用氮化镓消除隐患

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在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容...

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什么是激光雷达如何用氮化镓消除激光雷达

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2021-01-11 标签：激光器氮化镓 adas 5104 0

宽禁带生态系统：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

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宽禁带材料实现了较当前硅基威廉希尔官方网站的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和...

2020-10-10 标签：IC设计安森美半导体宽禁带 3626 0

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2022-10-17 标签：半导体热导率宽禁带 1948 0

氮化镓半导体和碳化硅半导体的区别

氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以...

2023-12-27 标签：半导体氮化镓碳化硅半导体 1820 0

宽禁带器件和仿真环境介绍

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2020-05-28 标签：功率MOSFET 碳化硅宽禁带 1556 0

相控阵雷达性能的基石：宽禁带半导体

现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。

2016-04-29 标签：半导体电子宽禁带 1298 0

【泰克电源设计与测试】致工程师系列之五：优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计

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半桥电路（图1）广泛用于功率电子领域的多种应用，是现代设计中有效转换电能使用的基本电路。但是，只有在半桥、门驱动器和布线正确且优化设计时，这种电路的优势...

2020-08-31 标签：示波器功率器件探头 1153 0

氮化镓和碳化硅MOSFET应用建议以及碳化硅二极管应用领域

碳化硅作为宽禁带化合物半导体材料，具有比传统硅材料更加优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率器件。与传统硅器件相比，碳化硅具有禁带宽度宽、耐高温、耐...

2023-02-03 标签：功率器件碳化硅宽禁带 1105 0

【当代材料电学测试】系列之四：宽禁带材料测试

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随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。

2021-03-26 标签：万用表 SiC GaN 1046 0

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一文详解下一代功率器件宽禁带威廉希尔官方网站

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请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？

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宽禁带资讯

投资4亿元的宽禁带工程研究中心，研发成果有哪些？

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2020-08-17 标签：射频氮化镓碳化硅 1.8万 1

第三代半导体材料有何优势

日前，在纪念集成电路发明60周年学术会议上，中科院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、西安电子科技大学教授郝跃院士做了题为《宽禁带与超宽禁带半导...

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盘点宽禁带与超宽禁带半导体器件最新进展

郝跃院士介绍了西电320GHz毫米波器件，利用高界面质量的凹槽半悬空栅威廉希尔官方网站，器件的fmax达320GHz，在输出功率密度一定的情况下，功率附加效率在30...

2018-10-22 标签：半导体宽禁带 1.2万 0

宽禁带的SiC和GaN将会是下一代功率器件的基础

行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素。例如，数据中心正在成倍增长以满足需求。它们使用的电力约占世界总电力供应（400千瓦时）的3...

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什么是宽禁带半导体？

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第95期什么是宽禁带半导体？半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（I...

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瑞能半导体如何才能在激烈的市场竞争中突围

2015年，瑞能半导体从恩智浦功率产品线独立出来，如今已成为全球功率半导体的领导厂商，特别是碳化硅市场份额在国际上名列前茅。这一切跨越式发展，瑞能半导体...

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氮化镓的性质与稳定性以及应用领域

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纳微半导体发布2022第一季度财务业绩

　加利福尼亚州加州埃尔塞贡多讯，氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克：NVTS）今日公布截至2022年3月31日的第一季度未经审计的财务业绩。

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意法半导体新厂2023年开始投产加强碳化硅组件及解决方案衬底供应

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