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金升阳拓宽机壳开关电源功率段推出LM450/600-12Bxx系列

　产品采用高自动化的工艺设计，器件布局精致美观，减少冗余设计，达到性能和成本的最佳匹配。

发表于11-24 15:53 • 1183
SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局

Yole Development 的市场调查报告表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。

发表于11-16 14:01 • 1906
瑞萨电子推出RA6T1 MCU，适用于电机控制及基于AI的端点预测性维护

瑞萨电子物联网及基础设施事业本部高级副总裁Roger Wendelken表示：“随着家电、楼宇和工业自动化设备日趋智能和复杂，制造商努力控制不断上涨的BOM成本，以满足日益增长的电机性能需求。

发表于10-28 15:47 • 1845
Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级，RDS(ON)和FOM达到业界出色水平，提高功率密度和效率

节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装，最大RDS（ON）导通电阻降至8.05 m，Qg为6.5 nC

发表于11-04 16:03 • 1241
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。

发表于10-20 15:18 • 1704
极海推出工业级通用型APM32F030x8系列MCU 可快速实现进口替代

极海全新发布的基于Arm® Cortex®-M0+内核的工业级通用型APM32F030x8系列MCU，具有大容量、宽温幅、低功耗等特点，并在可靠性、稳定性、功耗性能上实现了全面优化。

发表于08-25 14:31 • 3279
兆易创新推出国内首款2Gb大容量高性能SPI NOR Flash产品

GD25/GD55 B/T/X产品系列容量高达2Gb，为大容量高性能应用提供最佳解决方案。

发表于07-03 14:32 • 3674
英飞凌推出BCR431U LED驱动IC为低电流LED灯条设计带来更多自由度

此集成驱动 IC 在 15 mA 电流下的压降仅 105 mV，效能领先业界，为照明应用提供了更多的设计弹性。如此可提升整体效率，并提供所需的电压余度，补偿供应电压之中的 LED正向电压偏差及变动。

发表于06-09 18:00 • 1138