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一种低压低功耗共源共栅带隙基准电压源的实现

2072260 2009-08-22 | rar | 179 | 次下载 | 5积分

资料介绍

提出了一种低压低功耗的带隙基准电压源电路，设计基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process，并使用了低压共源共栅电流镜结构减少了对电源电压的依赖，消除了精度与余度之间的矛盾，并用HL50S-S3.1S.lib库文件用 HSPICE 进行了仿真，其电源抑制比PSRR 大约为-78.9dB。
关键词: 带隙基准，PTAT，低压共源共栅电流镜, BiCMOS
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本文对基准源采用了温度一级补偿的方法。所谓温度一级补偿就是在温度区域内选取一点，使得基准源的输出在该点对温度的导数为零。只要这一点的位子合适，就能获得较小的温度系数。并使用了与绝对温度成正比（PTAT: proportional to absolute temperature）的电流来产生基准电压。带隙调节电路在本质上是双级的，为了降低成本，能与CMOS工艺兼容，我们使用了0.5μm的BICMOS工艺。