TLP785(D4GRF)数据手册下载

　　Office Equipment Household Appliances Solid State Relays Switching Power Supplies Various Controllers Signal Transmission Between Different Voltage Circuits The TOSHIBA TLP785 consists of a silicone phototransistor optically coupled to a gallium arsenide （GaAs） infrared emitting diode in a four lead plastic DIP （DIP4） with having high isolation voltage （AC： 5kVRMS （min））。 • TLP785： 7.62mm pitch type DIP4 • Collector-emitter voltage： 80V （min.） • Current transfer ratio： 50% （min.） Rank GB： 100% （min.） • Isolation voltage： 5000Vrms （min.） • UL： UL1577， file No. E67349 • BSI under application： BS EN60065:2002 ： BS EN60950-1:2006 • SEMKO under application:EN60065:2002 EN60950-1:2001， EN60335-1:2002 • Option（D4）type VDE under application： DIN EN60747-5-2 （Note）： When an EN60747-5-2 approved type is needed， Please designate “Option （D4）”