EEPROM和FLASH存储器的测试方法详细说明

　　非易失存储器（Non-Volatile Memory）在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。一个非易失存储器（NVM）器件通常也是一个 MOS 管，拥有一个源极，一个漏极，一个门极另外还有一个浮栅（FLOATING GATE）。它的构造和一般的 MOS 管略有不同：多了一个浮栅。浮栅被绝缘体隔绝于其他部分。非易失存储器又可分为两类：浮栅型和电荷阱型在浮栅型存储器中，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。所有的浮栅型存储器都有着类似的原始单元架构。他们都有层叠的门极结构如图一所示。第一个门极被埋在门极氧化层和极间氧化层之间，极间氧化层的作用是隔绝浮栅区，它的组成可以是氧-氮-氧，或者二氧化硅。包围在器件周围的二氧化硅层可以保护器件免受外力影响。第二个门极被称为控制门极，它和外部的电极相连接。浮栅型器件通常用于 EPROM（Electrically Programmable Read Only Memory）和 EEPROM（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）。

　　电荷阱型器件是在 1967 年被发明的，也是第一个被发明的电编程半导体器件。在这类型的存储器中，电荷被储存在分离的氮阱中，由此在无电源供应时保持信息。电荷阱器件的典型应用是在 MNOS（Metal Nitride Oxide Silicon），SNOS（Silicon Nitride Oxide Semiconductor）和 SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor）中。下图展示了一个典型的 MNOS 电荷阱型存储器的结构。

　　MNOS 中的电荷通过量子机制穿过一层极薄的氧化层（一般为 1.5-3nm）从沟道中被注入氮层中。