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本文提供了GaN晶体管的一般偏置电路设计信息。有许多不同的设计方法可以用来成功地实现GaN偏置电路，其中可以作出权衡，以优化应用的性能、成本、尺寸和复杂性。本文件强调了最小偏置电路设计要求，以防止可能影响性能或导致设备故障的意外偏置条件。有关偏置电路设计的帮助，请联系Qorvo应用支持部门。
Qorvo-GaN器件是耗尽型器件，因此在漏极电压存在时需要负栅极电压以防止损坏。当栅极电压为VGS=0v，并且存在漏极电压时，器件将具有大电流和大功率损耗，这可能会永久损坏器件。用户应通过硬件或软件控制确保当存在漏极电压时，设备上始终存在负栅极电压。用户还应考虑漏极偏压馈源上旁路电容器的放电，该漏极偏压馈源在漏极电源电压消除后可保持一段时间的电压。
用户通过调整栅极电压（VGS）来设置器件的IDQ偏置电流，由于GaN器件的阈值变化，Qorvo建议调整每个器件的栅极电压，以保持器件之间的静态偏置电流一致。固定栅极电压偏置电路由于阈值的变化会导致大范围的IDQ。固定电压的情况下，可以从低或无电流的IDQ到非常高的IDQ电流分布的设备。低IDQ会影响射频性能，而高电流也会影响性能，甚至在电流过高时损坏设备。设计人员可参考数据表了解参考偏差条件。设计者还可以灵活地调整与数据表不同的偏差，以针对不同的性能标准进行优化。调节静态电流会影响增益、效率、线性度和稳定性。可以优化偏差以在这些参数之间进行权衡。当偏离推荐的数据表偏压条件时，设计者需要确认没有超过耗散功率限制或电源电压限制。温度影响阈值电压，在恒定栅极电压下，阈值电压会导致漏极电流的变化。图1显示了具有固定VG的IDQ与温度的关系示例。如果应用要求在线性应用中保持恒定电流，则必须调整VGS以保持恒定电流。图2显示了维护固定IDQ的vg示例。
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