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随着集成电路的发展，尤其是智能功率集成电路的发展，对功率器件提出了越来越高的要求。LDMOS由于它的电极均可以在器件的表面引出，因而可以与主流的VLSI集成电路丁艺威廉希尔官方网站 相兼容，成为了功率集成电路的首选，并广泛应用于LED驱动、电源管理及汽车电子等领域。对于LDMOS来说，比导通电阻和击穿电压是两个重要的参数，同时相互影响，降低比导通电阻和提高击穿电压是器件的设计与研究的热点与难点。目前采用的威廉希尔官方网站 主要有以下几种：场板威廉希尔官方网站 ，横向变掺杂威廉希尔官方网站 ，埋层威廉希尔官方网站 ，超结威廉希尔官方网站 ，降低表面电场（RESURF）威廉希尔官方网站 等威廉希尔官方网站 ，它们对器件击穿电压和比导通电阻的改善起到了很大的作用。
RESURF威廉希尔官方网站 是在LDMOS器件设计中广泛应用的一种威廉希尔官方网站 ，它是利用横向与纵向两个PN结的耗尽层相互作用，就是器件在表面电场达到临界电场之前，使漂移区在纵向上完全耗尽，从而使击穿点由表面转移到体内，进而提高击穿电压。目前研究最多的是双RESURF LDMOS器件，它是在单RESURF的基础上，在漂移区顶部注入与漂移区掺杂相反的杂质，利用其辅助耗尽来改善器件的性能。
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