S29AL004D闪存芯片的数据手册免费下载

　　本节描述通过内部命令寄存器启动的设备总线操作的要求和使用。命令寄存器本身不占用任何可寻址内存位置。寄存器由存储命令的锁存器以及执行命令所需的地址和数据信息组成。寄存器的内容用作内部状态机的输入。状态机输出指示设备的功能。表1列出了设备总线操作、它们所需的输入和控制级别以及结果输出。下面的小节将进一步详细描述这些操作。

　　S29AL004D是一个4mbit、3.0v的闪存，组织为524288字节或262144字。该设备提供48球FBGA、44针SO和48针TSOP封装。字宽数据（x16）出现在dq15–dq0上；字节宽数据（x8）出现在dq7–dq0上。此设备只需要一个3.0伏的VCC电源即可执行读取、编程和擦除操作。标准的eprom编程器也可以用来编程和擦除设备。该设备采用Spansion的200nm工艺威廉希尔官方网站 制造，并提供了AM29LV400B和MBM29LV400T/BC的所有特性和优点，后者采用320nm工艺威廉希尔官方网站 制造。标准设备提供70和90ns的访问时间，允许高速微处理器无需等待状态即可运行。为了消除总线争用，设备有单独的芯片启用（CE）、写入启用（WE）和输出启用（OE）控制。该设备只需要一个3.0伏的电源即可进行读写操作。为程序和擦除操作提供内部生成和调节的电压。

　　该设备完全与jedec单电源闪存标准兼容。使用标准微处理器写入计时将命令写入命令寄存器。寄存器内容用作控制擦除和编程电路的内部状态机的输入。写入周期也会在内部锁定编程和擦除操作所需的地址和数据。从设备中读取数据类似于从其他flash或eprom设备中读取数据。通过执行程序命令序列进行设备编程。这使嵌入式程序算法成为一种内部算法，可以自动乘以程序脉冲宽度，并验证适当的单元边距。解锁旁路模式通过只需要两个写入周期而不是四个来编程数据，从而加快编程速度。设备擦除是通过执行擦除命令序列来实现的。这将启动嵌入式擦除算法一个内部算法，该算法在执行擦除操作之前自动预编程阵列（如果尚未编程）。在擦除过程中，设备会自动乘以擦除脉冲宽度，并验证正确的单元边距。主机系统可以通过观察ry/by pin或通过读取dq7（数据轮询）和dq6（切换）状态位来检测程序或擦除操作是否完成。程序或擦除周期完成后，设备准备读取阵列数据或接受其他命令。扇区擦除结构允许在不影响其他扇区的数据内容的情况下擦除和重新编程内存扇区。设备出厂时已完全擦除。硬件数据保护措施包括一个低VCC检测器，在电源转换期间自动抑制写操作。硬件扇区保护功能禁用内存扇区的任意组合中的程序和擦除操作。这可以通过系统或编程设备来实现。

　　“擦除挂起”功能使用户可以将擦除挂起一段时间，以便从未选择擦除的任何扇区读取数据或将数据编程到该扇区。因此可以实现真正的背景擦除。硬件重置引脚终止任何正在进行的操作，并重置内部状态机以读取阵列数据。复位引脚可能与系统复位电路相连。因此，系统重置也会重置设备，使系统微处理器能够从闪存读取启动固件。该设备提供两个省电功能。当地址在指定时间内稳定时，设备进入自动睡眠模式。系统还可以将设备置于待机模式。在这两种模式下，功耗都大大降低。Spansion的闪存威廉希尔官方网站 结合了多年的闪存制造经验，生产出最高水平的质量、可靠性和成本效益。该装置通过fowler-nordheim隧道同时电擦除扇区内的所有位。数据是用热电子注入编程的。