基于SST25VF064C下的64 Mb SPI 串行双 I/O 闪存

　　特性

　　• 单电压读写操作

　　– 2.7-3.6V

　　• 串行接口架构

　　– 兼容 SPI：模式 0 和模式 3

　　• 双输入/输出支持

　　– 快速读取双输出指令 – 快速读取双 I/O 指令

　　• 高速时钟频率

　　– 高速读 （0BH）时为 80 MHz – 快速读取双输出 （3BH）时为 75 MHz – 快速读取双 I/O （BBH）时为 50 MHz – 读取指令 （03H）时为 33 MHz

　　• 超高可靠性

　　– 可擦写次数：100，000 次 （典型值）

　　– 数据保存时间大于 100 年

　　• 低功耗

　　– 读操作工作电流：12 mA （80 MHz 时的典型值），

　　对于单个位读取

　　– 读操作工作电流：14 mA （75 MHz 时的典型值），

　　对于双位读取

　　– 待机电流：5 µA （典型值）

　　• 灵活的擦除功能

　　– 均一 4 KB 扇区

　　– 均一 32 KB 覆盖块

　　– 均一 64 KB 覆盖块

　　• 快速擦除

　　– 全片擦除时间：35 ms （典型值）

　　– 扇区/块擦除时间：18 ms （典型值）

　　• 页编程

　　– 每页 256 字节

　　– 单输入和双输入支持

　　– 1.5 ms （典型值）的快速页编程时间

　　• 写操作结束检测

　　– 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位

　　• 写保护 （WP#）

　　– 使能/禁止状态寄存器的锁定功能

　　• 软件写保护

　　– 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护

　　• 安全 ID

　　– 可一次性编程（One-Time Programmable，OTP）

　　的 256 位安全 ID

　　- 出厂前预编程的 64 位惟一标识符

　　- 192 位用户可编程

　　• 温度范围

　　– 商业级：0°C 至 +70°C

　　– 工业级：-40°C 至 +85°C

　　• 可用封装

　　– 16 引脚 SOIC （300 mil）

　　– 8 触点 WSON （6 mm x 8 mm）

　　– 8 引脚 SOIC （200 mil）

　　• 所有器件均符合 RoHS 标准