资料介绍
特性
• 单电压读写操作
– 2.7-3.6V
• 串行接口架构
– 兼容 SPI:模式 0 和模式 3
• 高速时钟频率
– 高达 80 MHz
• 超高可靠性
– 可擦写次数:100,000 次 – 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗:
– 读操作工作电流:10 mA(典型值)
– 待机电流:5 µA(典型值)
• 灵活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇区 – 均一 32 KB 覆盖块 – 均一 64 KB 覆盖块
• 快速擦除和字节编程:
– 全片擦除时间:35 ms(典型值)
– 扇区 / 块擦除时间:18 ms(典型值)
– 字节编程时间:7 µs(典型值)
• 自动地址递增(Auto Address Increment,AAI)
字编程
– 与字节编程操作相比,可减少总芯片编程时间
• 写操作结束检测
– 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位
– SO 引脚上的忙状态读出
• 保持引脚(HOLD#)
– 在不取消选择器件的情况下暂停存储器的串行序列
• 写保护(WP#)
– 使能 / 禁止状态寄存器的锁定功能
• 软件写保护
– 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护
• 温度范围
– 工业级:-40°C 至 +85°C
• 可用封装
– 8 引脚 SOIC(200 mil)
– 8 触点 WSON(5 X 6 mm)
• 所有器件均符合 RoHS 标准
- 基于SST25WF512/SST25WF010/SST25WF020/SST25WF040下的串行闪存
- 基于SST25VF020B下的2 Mb SPI 串行闪存
- 基于SST25VF064C下的64 Mb SPI 串行双 I/O 闪存
- 64Mb(x16)高级多用途闪存+SST38VF6401B/SST38VF6402B/SST38VF6403B/SST38VF6404B
- 从SST25VF016B/032B移植到SST26VF016B和SST26VF032B/032BA.pdf
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