基于SST39VF1601C/SST39VF1602C下的16 Mb（x16）多用途闪存

　　特性

　　• 按 1M x16 的形式组织：SST39VF1601C/1602C

　　• 单电压读写操作

　　– 2.7-3.6V

　　• 超高可靠性

　　– 可擦写次数：100，000 次 （典型值）

　　– 数据保存时间大于 100 年

　　• 低功耗 （5 MHz 时的典型值）

　　– 工作电流：9 mA （典型值）

　　– 待机电流：3 µA （典型值）

　　– 自动低功耗模式：3 µA （典型值）

　　• 硬件块保护 /WP# 输入引脚

　　– 顶部块保护 （顶部 8K 字）

　　– 底部块保护 （底部 8K 字）

　　• 扇区擦除功能

　　– 均一 2K 字扇区

　　• 块擦除功能

　　– 灵活的块架构；一个8K字块、两个4K字块、一个16K字

　　块和 31 个 32K 字块

　　• 全片擦除功能

　　• 擦除暂停 / 擦除继续功能

　　• 硬件复位引脚 （RST#）

　　• 锁存地址和数据

　　• 安全 ID 功能

　　– SST：128 位；用户：128 字

　　• 快速读取访问时间：

　　– 70 ns

　　• 快速擦除和字编程：

　　– 扇区擦除时间：18 ms （典型值）

　　– 块擦除时间：18 ms （典型值）

　　– 全片擦除时间：40 ms （典型值）

　　– 字编程时间：7 µs （典型值）

　　• 自动写时序

　　– 内部 VPP 生成

　　• 写操作结束检测

　　– 翻转位

　　– 数据 # 查询

　　– 就绪 / 忙 # 引脚

　　• CMOS I/O 兼容性

　　• JEDEC 标准

　　– 闪存 EEPROM 引脚排列和命令集

　　• 可用封装

　　– 48 引脚 TSOP （12 mm x 20 mm）

　　– 48 球 TFBGA （6 mm x 8 mm）

　　– 48 球 WFBGA （4 mm x 6 mm）

　　• 所有器件均符合 RoHS 标准