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TLC27L2和TLC27L7双运算放大器把宽范围的输入失调电压等级和低失调电压漂移、高
输入阻抗、极低的功耗以及高增益组合在一起。这些器件使用了德州仪器公司的硅栅（silicon-gate）LinCMOSTM工艺，它提供的失调电压稳定性远远超过了常规金属栅（metal-gate）工艺所能提供的稳定性。极高的输入阻抗、低偏置电流以及低功耗使这些费效比甚佳的器件能理想地用于高增益、低频率、低功耗的应用中。有四种失调电压等级可供使用（后缀C和后缀I类型），其范围从低成本的TLC27L2（10mV）至高精度的TLC27L7（500μV）。这些优点和良好的共模抑制比以及电源电压抑制比结合在一起，使得这些器件成为最新现代化设计和对现有设计升级时的良好选择。通常，LinCMOSTM运算放大器有许多与双极性工艺相关的特性可供使用，它没有双极性工艺功率上的缺陷。一般应用例如变换器接口、interwetten与威廉的赔率体系 计算、放大器块、有源滤波器以及信号缓冲能方便地用TLC27L2和TLC27L7设计。 器件也呈现低电压单电源工作和超低功耗的特点，这使得它们能理想地适用于远程和不可访问的电池供电的应用中。共模输入电压范围包括负电源电平。有很宽范围的封装选项可供使用，包括可用于高密度系统的小外形和芯片支座（chip-carrier）类型。器件输入端和输出端设计成能承受-100mA的浪涌电流而不遭受闭锁（latch-up）。TLC27L2和TLC27L7有内部ESD保护，当遵照MIL-STD-883C标准、方法3015.2进行测试时，在高达2000V的电压下，它可防止功能失效；但是，由于暴露在ESD下可能导致器件参数性能降低，所以在处理这些器件时要多加小心。
输入阻抗、极低的功耗以及高增益组合在一起。这些器件使用了德州仪器公司的硅栅（silicon-gate）LinCMOSTM工艺，它提供的失调电压稳定性远远超过了常规金属栅（metal-gate）工艺所能提供的稳定性。极高的输入阻抗、低偏置电流以及低功耗使这些费效比甚佳的器件能理想地用于高增益、低频率、低功耗的应用中。有四种失调电压等级可供使用（后缀C和后缀I类型），其范围从低成本的TLC27L2（10mV）至高精度的TLC27L7（500μV）。这些优点和良好的共模抑制比以及电源电压抑制比结合在一起，使得这些器件成为最新现代化设计和对现有设计升级时的良好选择。通常，LinCMOSTM运算放大器有许多与双极性工艺相关的特性可供使用，它没有双极性工艺功率上的缺陷。一般应用例如变换器接口、interwetten与威廉的赔率体系 计算、放大器块、有源滤波器以及信号缓冲能方便地用TLC27L2和TLC27L7设计。 器件也呈现低电压单电源工作和超低功耗的特点，这使得它们能理想地适用于远程和不可访问的电池供电的应用中。共模输入电压范围包括负电源电平。有很宽范围的封装选项可供使用，包括可用于高密度系统的小外形和芯片支座（chip-carrier）类型。器件输入端和输出端设计成能承受-100mA的浪涌电流而不遭受闭锁（latch-up）。TLC27L2和TLC27L7有内部ESD保护，当遵照MIL-STD-883C标准、方法3015.2进行测试时，在高达2000V的电压下，它可防止功能失效；但是，由于暴露在ESD下可能导致器件参数性能降低，所以在处理这些器件时要多加小心。
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