资料介绍
前言
客户反馈在批量生产阶段,发现部分产品的MCU的RTC在低温(0℃)下工作不正常,但是在常温下又是正常的,且其他正常的MCU的RTC在常温与低温下都是正常的。
问题跟进
通过与客户邮件沟通,了解到客户使用的MCU型号是STM32F030C6T6TR。在产品的主从结构中主要用作电源管理和时钟管理。通过客户的描述,似乎相同型号不同片子都存在较大的差异。
由于时间紧急,在了解到初步信息后拜访客户,针对客户认为有问题的MCU芯片做针对性试验。通过STM32CubMx生成测试工程,分别使用LSI(40K),LSE(32.768K),RTC工作时每秒通过LED1(PB5)取反一次(通过LED1灯是否闪烁来指示RTC是否工作正常),然后分别测量OSC管脚与PA8脚(输出LSI或LSE),并对比ST官方的NUCLEO-F030板,最终测试结果如下:
1、当使用LSI时,无论常温还是低温下都能正常工作。
2、当使用LSE时,常温下能正常工作,但在低温(0℃)时,RTC不再工作(LED1停止闪烁),且PA8管脚无输出,但保持为高电平,且此时OSC管脚此时是存在32.768K的波形的。
3、通过修改负载电容C1&C2的电容值从5.1pF修改到6.8pF时,原本低温下不工作的RTC又能恢复正常工作。
4、对比ST官方的NUCLEO-F030板子,在常温与低温下均能正常工作。
从测试结果来看,通过修改负载电容的方式能让原本不能正常工作的RTC恢复正常工作,这个似乎为客户的负载电容不能精准的匹配系统的原因所致。
但客户对于这个做法不接受的,理由是现在设计的负载电容5.1pF是通过测试后的值,精度可以达到6.5ppm,但如果改为6.8pF,那么精度将会变到大约30ppm,这个会影响到MCU的RTC的时间精准度,系统在长时间运行后,时间必然会偏差很大,超出设计合理范围,这个是不允许的。
问题分析
既然客户不接受修改负载电容,那么首先我们重新梳理下客户的晶振设计各种参数是否准确,客户的LSE电路设计如下所示:
如上图,图中的MR10 10Mohm这个反馈电阻在实际电路中是没有加的,晶振使用的是TXC的,从晶振厂商提供的数据手册中得到相关参数如下:
再者,由于客户代码中使用的LSE drive配置的是最高等级,从下图芯片对应的数据手册中可以找到对应的gm值为25uA/V,此时的驱动电流为1.6uA:
前面提到过AN2867这个文档,我们打开这个文档,在3.4节,发现有这个要求:
也就是要求gain margin的值要求大于5,这样晶振才能正常起振,那么gain margin又是如何计算的呢?接下来找到gainmargin 的计算公式,如下:
其中gm就是图4中从数据手册中提到的跨导值,STM32F030 LSE的不同驱动等级对应着不同的gm值,由于我们的测试代码使用的是CubeMx自动生成的代码,其默认使用的是最高等级,且客户使用的也是最高等级,因此,这个得出的gm值为25 uA/V, gm有了,那么上面公式中的gmcrit又该如何计算,我们接下来找到它的计算公式,如:
通过晶振对应参数,我们可以得出:
ESR =70KΩ,C0 =1.0pF, CL =7.0pF, 而F就是LSE的频率,为32.768KHz.
于是:
g_mcrit =4 * 7E4 *POWER(2*PI()*32768,2) * POWER ((1.0E-12 7.0E-12),2) =7.6E-07
最终得到:
gain_magin =gm/g_mcrit=2.5E-05/7.6E-07 =32.89
这个值是远大于5,因此,理论上不会存在晶振不起振是的问题,实际上当在低温下,之前在测试中也有发现晶振也是有起振,有波形输出的,只不过PA8脚没有波形输出,那个又是什么问题呢?
最终定位到LSE的驱动等级过高,在AN2867这个文档中,有这样的描述:
也就是说,在STM32F0和STM32F3中,当使用最高驱动模式(gm_crit_max=5uA/V, 见Figure9gm_crit_max)时,对应地应该只使用在CL=12.5pF的晶振上,以此避免振荡回路饱和,从而导致启动失败。若此时使用了一个较小的CL(如CL=6pF),那么会导致振荡频率不稳定和工作周期可能被扭曲。
AN2867随后给出了一张表,列出了驱动等级与gm_min、gm_crit_max的关系,如下:
如上图,对于STM32F0,当使用最高驱动模式High时,此时的gm_min=25 uA/V,这个与数据手册中是一致的,另外gm_crit_max=5uA/V,正是上面所描述的。
也就是说,在使用最高驱动模式下,此时与之对应的CL应该使用12.5pF,而客户所使用的CL是7pF,这个与手册AN2867的建议内容是不相符的。从图4可以看出,在最高驱动等级模式下,此时驱动电流最大(1.6uA),但这里使用了一个比较小的负载电容(CL=7pF),按AN2867所述,此时有可能导致振荡回路饱和,振荡不稳定,工作周期扭曲。
此时,应该对应地下调这个LSE驱动等级,减小驱动电流,这里有4档(见Figure9):Low,Medium Low,Medium High,High. 目前使用的是High,正是它出了问题,为保守起见,使用Medium High相对合适。
如上图,将LSEDRV[1:0]这两个为修改为10即可,将原先低温下RTC有问题的MCU芯片修改后再次放到低温下进行验证,测试结果为正常。由于此问题是部分芯片有可能会出现的问题,客户需要对修改后的芯片进行持续跟踪,至今没有再反馈出现过此问题,由此,此问题基本解决。
总结
AN2867这个文档总结了关于STM32晶振匹配方面的信息。里边有提到,负载电容CL值越大,所需的驱动电流也就越大,但牵引度越小。这也就解释了表1中通过增大C1&C2的电容值,原本出现问题的RTC能恢复正常的现象,这是由于C1&C2的电容值变大将导致负载电容CL变大,进而对应所需的驱动电流也就跟着增加,这反而减少了在高驱动模式情况下振荡回路出现饱和的机会。
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