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Calculation of Intermodulation Distortion in CMOS Transconductance Stage:Abstract—The linearity of the transconductance stage is of
major concern in the design of some analog circuits. In this
paper, Volterra series expansion is used to compute the
intermodulation distortion of high frequency CMOS
transconductance stage with source degeneration resistor. The
MOS model used in this paper includes short-channel effects
and gate-source capacitance, gate-drain capacitance, output
resistance of MOS transistor. Analytical results are compared with simulation results and the influences of circuit parameters on circuit linearity are discussed.
major concern in the design of some analog circuits. In this
paper, Volterra series expansion is used to compute the
intermodulation distortion of high frequency CMOS
transconductance stage with source degeneration resistor. The
MOS model used in this paper includes short-channel effects
and gate-source capacitance, gate-drain capacitance, output
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